Моделювання процесів дифузії в мікроелектроніці

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorКоролюк, Дмитро Володимирович
dc.contributor.authorКореневський, Нікіта Вадимович
dc.date.accessioned2024-06-27T09:24:56Z
dc.date.available2024-06-27T09:24:56Z
dc.date.issued2024
dc.description.abstractРоботу викладено на 59 сторінці, вона містить 2 розділи, 22 ілюстрацій, 2 таблиці та джерела в переліку посилань. Об’єкт роботи – процеси дифузії в оксидних шарах напівпровідників. Предмет роботи – дослідження дифузії на різних стадіях виробництва мікроелектронних пристроїв, таких як загонка, розгонка, та інші етапи. Моделювання процесів іонної імплантації, яка використовується для введення домішок у матеріали з використанням іонів. Мета роботи – поглиблене вивченні та розумінні дифузійних процесів у мікроелектроніці з метою покращення технологій та оптимізації виробництва електронних пристроїв. В першому розділі представлені опис основного рівняння, що характеризує процес дифузії в речовині за законами Фіка, дослідження моделей, які визначають коефіцієнти дифузії для основних домішок у кремнії, вивчення моделей, що описують дифузію на різних етапах, таких як загонка і розгонка домішок, а також вивчення перерозподілу домішок у процесі дифузії в окислювальному середовищі. В другому розділі досліджено розподілу домішок, які вводяться за допомогою іонної імплантації, з використанням різних типів розподілу, таких як гаусовські розподіли, спряжені гаусіани, розподіл Пірсона-4. Розглянуто локальне легування за допомогою іонної імплантації, процеси похилої імплантації іонів, а також проведений аналіз дифузійного перерозподілу іонно-імплантованих домішок.
dc.description.abstractotherThe work is presented on 59 pages and consists of 2 chapters, 22 illustrations, 2 tables, and references in the bibliography. The object of the study is the diffusion processes in the oxide layers of semiconductors. The subject of the research is the investigation of diffusion at various stages of the production of microelectronic devices, such as annealing, doping, and other stages. Modeling of ion implantation processes, which is used to introduce impurities into materials using ions. The aim of the work is in-depth study and understanding of diffusion processes in microelectronics with the goal of improving technologies and optimizing the production of electronic devices. In the first chapter, there is a description of the basic equation characterizing the diffusion process in a substance according to Fick's laws. The study includes models determining diffusion coefficients for major impurities in silicon, examination of models describing diffusion at different stages such as annealing and doping, as well as investigation of impurity redistribution during diffusion in an oxidizing environment. In the second chapter, the distribution of impurities introduced by ion implantation is explored using various distribution types, such as Gaussian distributions, conjugate Gaussians, and Pearson-4 distribution. The chapter also covers local doping through ion implantation, inclined ion implantation processes, and an analysis of the diffusion redistribution of ion-implanted impurities.
dc.format.extent60 с.
dc.identifier.citationКореневський, Н. В. Моделювання процесів дифузії в мікроелектроніці : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Кореневський Нікіта Вадимович. – Київ, 2024. – 60 с.
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/67539
dc.language.isouk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.titleМоделювання процесів дифузії в мікроелектроніці
dc.typeMaster Thesis

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Korenevskyi_magistr.pdf
Розмір:
1.09 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Магістерські роботи (МЕ)
Магістерські роботи