Electrical properties of highly nitrogen-doped 6H-SiC single crystals: Microwave cavity perturbation study

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorSavchenko, D. V.
dc.contributor.authorYatsyk, D. M.
dc.contributor.authorGenkin, O. M.
dc.contributor.authorNosachov, Yu. F.
dc.contributor.authorDrozdenko, O. V.
dc.contributor.authorMoiseenko, V. I.
dc.contributor.authorKalabukhova, E. N.
dc.date.accessioned2023-04-06T09:20:55Z
dc.date.available2023-04-06T09:20:55Z
dc.date.issued2023
dc.format.pagerangeP. 030-035uk
dc.identifier.citationElectrical properties of highly nitrogen-doped 6H-SiC single crystals: Microwave cavity perturbation study / D. Savchenko et al. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. 2023. Vol. 26, no. 1. P. 030–035.uk
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.15407/spqeo26.01.030
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/54329
dc.language.isoenuk
dc.publisherV. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraineuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol. 26(1)uk
dc.subjectconductivityuk
dc.subjectSiCuk
dc.subjectcavity perturbation methoduk
dc.subjectactivation energyuk
dc.titleElectrical properties of highly nitrogen-doped 6H-SiC single crystals: Microwave cavity perturbation studyuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
v26n1-p030-035.pdf
Розмір:
517.17 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.1 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Статті ЗФФТТ