Выходной буфер 1,8 В на основе 180 нм КМОП технологии для устройств 3,3 В

Махендранат, Б.; Сринивасулу, А.

Выходной буфер 1,8 В на основе 180 нм КМОП технологии для устройств 3,3 В

Файли

2017-11-663.pdf (79.89 KB)

Дата

2017

Автори

Махендранат, Б.

Сринивасулу, А.

Видавець

КПИ им. Игоря Сикорского

Опис

Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347017110061

Ключові слова

буфер, конвертер уровня, размах напряжения, задержка распространения, падение напряжения, интерфейс PCI-X

Бібліографічний опис

Махендранат, Б. Выходной буфер 1,8 В на основе 180 нм КМОП технологии для устройств 3,3 В / Б. Махендранат, А. Сринивасулу // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2017. – Т. 60, № 11 (665). – C. 663–672. – Библиогр.: 15 назв.