Выходной буфер 1,8 В на основе 180 нм КМОП технологии для устройств 3,3 В

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorМахендранат, Б.
dc.contributor.authorСринивасулу, А.
dc.date.accessioned2018-02-08T21:40:23Z
dc.date.available2018-02-08T21:40:23Z
dc.date.issued2017ru
dc.descriptionПолный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347017110061ru
dc.description.abstractruВ работе представлен выходной буфер на базе низковольтных устройств (+ 1,8 В) для работы с сигналами высокого напряжения + 3,3 В интерфейса PCI-X (peripheral component interconnect extended), реализованный с помощью КМОП-технологического процесса 180 нм. Поскольку PCI-X является интерфейсом + 3,3 В, нагрузка на оксидный затвор создает проблемы при разработке входных-выходных цепей для устройств 180 нм КМОП-процесса. Производительность предложенного выходного буфера оценивалась с применением программы Cadence и параметров модели 180 нм КМОП-процесса. Экспериментальные результаты подтверждают, что предложенный буфер эффективно работает c интерфейсом + 3,3 В на частоте 100 МГц без существенного перенапряжения на оксидном затворе. В данной работе также представлен новый преобразователь уровня, реализованный на устройствах + 1,8 В, который может преобразовывать размах напряжения 0/1 В в размах напряжения 0/3,3 В. Результаты компьютерного моделирования подтверждают, что предложенный преобразователь работает с достаточной точностью без какого-либо перепада напряжения. Предложенная топология имеет низкую чувствительность, что позволяет ее реализовать на СБИС. Предложенные схемы возможно реализовать с помощью низковольтных устройств без потери производительности.ru
dc.format.pagerangeС. 663-672ru
dc.identifier.citationМахендранат, Б. Выходной буфер 1,8 В на основе 180 нм КМОП технологии для устройств 3,3 В / Б. Махендранат, А. Сринивасулу // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2017. – Т. 60, № 11 (665). – C. 663–672. – Библиогр.: 15 назв.ru
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20535/S0021347017110061
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/22035
dc.language.isoruru
dc.publisherКПИ им. Игоря Сикорскогоru
dc.publisher.placeКиевru
dc.sourceИзвестия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2017, Т. 60, № 11 (665)ru
dc.subjectбуферru
dc.subjectконвертер уровняru
dc.subjectразмах напряженияru
dc.subjectзадержка распространенияru
dc.subjectпадение напряженияru
dc.subjectинтерфейс PCI-Xru
dc.titleВыходной буфер 1,8 В на основе 180 нм КМОП технологии для устройств 3,3 Вru
dc.typeArticleru

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2017-11-663.pdf
Розмір:
79.89 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Первая страница, библиогр.
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.74 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника: международный ежемесячный научно-технический журнал, Т. 60, № 11 (665)