Прецизійний стабілітрон на основі тунельного пробою

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorВербицький, Володимир Григорович
dc.contributor.authorМільшин, Данило Сергійович
dc.date.accessioned2019-01-17T11:56:52Z
dc.date.available2019-01-17T11:56:52Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstractenThe master's thesis "The Precision Stabilizer on the basis of tunneling breakdown" in volume is 60 page 21 illustration, 12 sources of information are used. The urgency of the work is that the epitaxial technology of obtaining low-voltage p-n-junctions requires the use of precision technological equipment, is very energy-intensive and uses extremely toxic materials: diborane, phosphine, arsine, and the like. Thus, the task of obtaining low-voltage pN transitions and, more so, low-voltage thermocompensating stabilizers on their basis are of an unusual nature and differ in a high degree of complexity. The object of the present invention is to provide such a design and method of manufacturing a low-voltage thermosettable stabilizer, for which processes of local epitaxial build-up of thick layers of doped silicon are excluded. The object of the study is a low-voltage thermo-compensated zener diode which is subject to increased safety and reliability requirements. The subject of the study is to assess the reliability level of such a stabilizer, a low-voltage thermo-compensated stabilizer with a voltage of 6.2 V. The technical result of the work is the creation of a design and method of manufacturing a low-voltage thermo-compensated stabilizer, which excludes the processes of local epitaxial build-up of thick layers of doped silicon.uk
dc.description.abstractukМагістерська робота «Прецизійний стабілітрон на основі тунельного пробоя» за об’ємом складає 60 сторінок 21 ілюстрацію, використано 12 інформаційних джерел. Актуальність роботи полягає у тому, що епітаксіальна технологія отримання низьковольтних р-n-переходів вимагає використання прецизійного технологічного устаткування, є дуже енергоємною і застосовує надзвичайно токсичні матеріали: диборан, фосфин, арсин і тому подібне. Таким чином, завдання отримання низьковольтних р- n- переходів і тим більше низьковольтних термокомпенсованих стабілітронів на їх основі носять неординарний характер і відрізняються високою мірою складності. Завдання справжнього винаходу - створення такої конструкції і способу виготовлення низьковольтного термокомпенсованого стабілітрона, для яких виключаються процеси локального епітаксіального нарощування товстих шарів легованого кремнію. Об’єктом дослідження є низьковольтний термокомпенсований стабілітрон до якого висуваються підвищені вимоги до безпеки та надійності. Предметом дослідження є оцінка рівня надійності такого стабілітрона, низьковольтного термокомпенсованого стабілітрона з напругою стабілізації 6,2 В. Технічним результатом роботи є створення конструкції і способу виготовлення низьковольтного термокомпенсованого стабілітрона, для яких виключаються процеси локального епітаксіального нарощування товстих шарів легованого кремнію.uk
dc.format.page63 с.uk
dc.identifier.citationМільшин, Д. С. Прецизійний стабілітрон на основі тунельного пробою : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Данило Сергійович Мільшин. – Київ, 2018. – 63 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/25858
dc.language.isoukuk
dc.publisher.placeКиівuk
dc.subjectТКСuk
dc.subjectРЕАuk
dc.subjectISO26262uk
dc.subjectTKSuk
dc.subjectREAuk
dc.subject.udc621.3uk
dc.titleПрецизійний стабілітрон на основі тунельного пробоюuk
dc.typeMaster Thesisuk

Файли

Зібрання

Магістерські роботи (МЕ)
Магістерські роботи