Особливості фотолюмінесценції та спектрів пропускання тонких шарів пористого кремнію на діелектричних основах

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorДушейко, Михайло Григорович
dc.contributor.authorКольцов, Георгій Сергійович
dc.contributor.authorОбухова, Тетяна Юріївна
dc.date.accessioned2020-04-22T22:16:51Z
dc.date.available2020-04-22T22:16:51Z
dc.date.issued2017
dc.description.abstractenIn the paper thin film porous silicon layers on insulator substrates were investigated. Silicon thin film (200-300 nm) was formed by ion-beam and sputter deposition on sapphire and polycorrundum. Than porous silicon was formed by chemical etching in mixture of hydrofluoric acid and sodium nitride. Some of samples were annealed in nitrogen atmosphere at 850 C before porous silicon formation. According to AFM investigation surfaces of porous silicon on polycorrundum and sapphire demonstrate different crystallographic orientation. On polycorrundum typical for (111) orientation triangles can be seen but on sapphire there are no marked crystallographic figures. So it can be assumed that initial silicon layers were approximately crystalline and replicate substrate orientation. In the other hand silicon crystalline orientation significantly affect porous silicon layer properties including optical properties. Transmission spectra of thin porous layers is shifted to shortwave region in comparison with initial silicon film spectra. In some spectra non-typical increase of transmission in UV and IR region is observed possibly due to photoluminescence. High temperature annealing prior to porous silicon formation drastically changes transmission spectra of resulting porous silicon layer despite silicon film transmission spectra did not change significantly. This can be explained by influence of initial crystal structure on velocity and direction of porous silicon formation. By this way it is possible to control optical properties of porous layers. Special interest should be taken to effect of transmission spectra inversion for samples obtained by ion-beam deposition. Photoluminescence of porous silicon thin layer was exited by ultra-violet light (285 nm) and signally differs from photoluminescence of porous silicon on bulk silicon. Beside typical for bulk porous silicon peaks at 600-700 nm also few peaks in green and blue region are observed. In the same time main peak is shifted to shortwave region (500 nm) compared to 600-700 nm. Photoluminescence spectra of porous silicon on insulator confirm most popular theories of porous silicon photoluminescence mechanism in particular correlation of photoluminescence with size of nanocrystallites. Also theory of superposition of few photoluminescence bands is proven because for stand alone porous layers these bands are separated.uk
dc.description.abstractruВ работе проведено исследование спектров пропускания и фотолюминесценции слоев пористого кремния полученных химическим травлением из тонких пленок кремния на подкладках из поликора и сапфира. Показано, что характер спектра пропускания таких структур зависит как от условия получения пленок кремния, так и от материала подкладки. По результатам исследования спектров фотолюминесценции возбужденной УФ-излучением (285 нм) показано, что кроме характерных для пористого кремния пиков в области 600-700 нм в тонких слоях пористого кремния наблюдаются пики в коротковолновой области.uk
dc.description.abstractukВ роботі проведено дослідження спектрів пропускання і фотолюмінісценції шарів пористого кремнію отриманих хімічним травленням з тонких плівок кремнію на основах з полі кору та сапфіру. Показано що характер спектру поглинання таких структур залежить як від умов отримання плівок кремнію так і від матеріалу основи. В результаті дослідження спектрів фотолюмінісценції що збуджувалась УФ-випромінюванням (285 нм) показано, що окрім характерних для пористого кремнію піків в області 600-700 нм в тонких шарах пористого кремнію спостерігаються піки в короткохвильовій області.uk
dc.format.pagerangeС. 6-11uk
dc.identifier.citationДушейко, М. Г. Особливості фотолюмінесценції та спектрів пропускання тонких шарів пористого кремнію на діелектричних основах / Душейко М. Г., Кольцов Г. С., Обухова Т. Ю. // Мікросистеми, Електроніка та Акустика : науково-технічний журнал. – 2017. – Т. 22, № 6(101). – С. 6–11. – Бібліогр.: 13 назв.uk
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20535/2523-4455.2017.22.6.42663
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/33039
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/uk
dc.sourceМікросистеми, Електроніка та Акустика : науково-технічний журнал, 2017, Т. 22, № 6(101)uk
dc.subjectпористий кремнійuk
dc.subjectфотолюмінесценціяuk
dc.subjectхімічне травленняuk
dc.subjectспектрuk
dc.subjectтонкі плівкиuk
dc.subjectporous siliconuk
dc.subjectphotoluminescenceuk
dc.subjectchemical etchinguk
dc.subjectspectrumuk
dc.subjectthin filmsuk
dc.subjectпористый кремнийuk
dc.subjectфотолюминесценцияuk
dc.subjectхимическое травлениеuk
dc.subjectтонкие пленкиuk
dc.subject.udc621.383uk
dc.titleОсобливості фотолюмінесценції та спектрів пропускання тонких шарів пористого кремнію на діелектричних основахuk
dc.title.alternativeFeatures of photoluminescence and transmission spectra of thin film porous silicon layers on insulator substratesuk
dc.title.alternativeОсобенности фотолюминесценции и спектров пропускания тонких слоев пористого кремния на диэлектрических подложкахuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
MEA2017_22-6_p6-11.pdf
Розмір:
335.18 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.06 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Мікросистеми, Електроніка та Акустика: науково-технічний журнал, Т. 22, № 6(101)