Сенсор на основі еванесцентного поля

dc.contributor.advisorЧадюк, Вячеслав Олексійович
dc.contributor.authorГетун, Назар Юрійович
dc.date.accessioned2019-08-28T12:15:12Z
dc.date.available2019-08-28T12:15:12Z
dc.date.issued2019-06
dc.description.abstractenThe purpose of this work is to study the features of the evenescent field and its application in various sphere such as: microscopy, fiber optic devices, for recording information on disks and in integrated optics. In addition, the optical fibers, their properties, their basic types and their manufacturing technologies in the industry were investigated. In the course of the work, a review and comparison of various types of semiconductor elements, such as LEDs and photodiodes, was made. After that, the main properties of the Bregg grating and their application in electronics were considered. This was an important and necessary step for the further development of various sensors which have sensitivity to the temperature, pressure, mechanical stretching and other types of external influences.uk
dc.description.abstractukМетою цієї роботи є дослідження особливостей евенесцентного поля та його застосування в різних сферах, таких як: мікроскопії, оптоволоконних приладах, для запису інформації на диски та в інтегральній оптиці. Окрім того, було досліджено оптичні волокна, їх властивості, порівняно їх основні типи та розглянуто технології виготовлення їх у промисловості. Також в ході роботи було зроблено огляд та порівняння різних видів напівпровідникових елементів, таких як світлодіоди та фотодіоди. Після цього було розглянуто основні властивості Брегівських граток та їх застосування в електроніці. Це було важливим та необхідним кроком для подальшої розробки різних сенсорів, що мають чутливість до температури, тиску, механічного розтягування та інших видів зовнішнього впливу.uk
dc.format.page49 с.uk
dc.identifier.citationГетун, Н. Ю. Сенсор на основі еванесцентного поля : дипломна робота ... бакалавра : 6.050802 Електронні пристрої та системи / Гетун Назар Юрійович. – Київ, 2019. – 49 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/28941
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectеванесцентне полеuk
dc.subjectБреггівські граткиuk
dc.subjectоптичне волокноuk
dc.subjectоптика ближнього поляuk
dc.subjectспектр випромінюванняuk
dc.subjectсвітлодіодuk
dc.titleСенсор на основі еванесцентного поляuk
dc.typeBachelor Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
Hetun_bakalavr.pdf
Розмір:
1.03 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.06 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: