Gallium nitride electronics

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBurkovskiy, Yaroslav
dc.date.accessioned2025-03-04T09:17:42Z
dc.date.available2025-03-04T09:17:42Z
dc.date.issued2017
dc.description.abstractThis article reviews the development and advantages of gallium nitride (GaN) for power electronics. It highlights GaN’s wide bandgap, high carrier mobility, low on-resistance, and superior thermal and high-temperature performance compared to silicon-based devices. The study also emphasizes the benefits of AlGaN/GaN heterostructural FETs in achieving high switching speeds and efficiency, positioning GaN as a promising material for modern compact and efficient power systems.
dc.format.pagerangeР. 6–7
dc.identifier.citationBurkovskiy, Y. Gallium nitride electronics / Yaroslav Burkovskiy // Science and Technology of the XXI Century : the XVIІІ All-Ukrainian Students R&D Conference Proceeding, Kyiv, 7 December 2017. – Kyiv, 2017. – P. 6–7.
dc.identifier.issn2411-3050
dc.identifier.orcid0000-0003-0633-1911
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/72785
dc.language.isoen
dc.publisherNational Technical University of Ukraine «Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute»
dc.publisher.placeKyiv
dc.relation.ispartofScience and Technology of the XXI Century : the XVIІІ All-Ukrainian Students R&D Conference Proceeding
dc.subjectpower management
dc.subjectpower supply
dc.subjectGallium Nitride (GaN)
dc.subjectWide-bandgap semiconductor
dc.subjectGaN
dc.subject.udc30.341.1(063)
dc.titleGallium nitride electronics
dc.typeArticle

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Gallium_nitride_electronics_2017_s3.pdf
Розмір:
212.64 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Матеріали конференцій, семінарів і т.п. (РЕ)