Формування зонної діаграми напівпровідникових надґрат

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorХатян, Д. В.
dc.contributor.authorГіндікіна, М. А.
dc.contributor.authorНелін, Є. А.
dc.contributor.authorKhatyan, D. V.
dc.contributor.authorGindikina, M. A.
dc.contributor.authorNelin, E. A.
dc.contributor.authorХатян, Д. В.
dc.contributor.authorГиндикина, М. А.
dc.contributor.authorНелин, Е. А.
dc.date.accessioned2016-04-11T11:00:46Z
dc.date.available2016-04-11T11:00:46Z
dc.date.issued2015
dc.description.abstractenInroduction. In this paper the input impedance characteristics of unlimited and limited superlattices structures were investigated. Superlattices structures are periodic nanoscale multilayer structures in which a periodic potential of the crystal spatially additionally lattice modulated with potential of this structure. Superlattices' impedance model. The expressions for input impedance on the left bound of unlimited crystal structure barrier were formed. Impedance characteristics of unlimited superlattices. The input impedance characteristics of unlimited structures were formed. The band nature of the superlattices' structures through the dependence of active component of input impedance was shown. Impedance characteristics of limited superlattices. By the intercomparison of the reflection coefficient of the limited superlattices and active component of the input impedance of unlimited superlattices was analyzed the formation of the unlimited superlattices' band diagram. As the result of the analysis of the parameters' of the forbidden zones of limited super-lattices and the number of superlattices' barriers dependence was analyzed the degree of the parameters' approximation of the limited superlattices' band diagrams to the parameters of unlimited superlattice's band diagram. Three points of matching were found. One point was located in the forbidden zone. The matching condition for the second and the third points meets resonance over-barrier passage of electrons through superlattices. Conclusions. They were found matching conditions of limited superlattices with the environment on their input as well as the features of the formation of the band diagram of superlattices.uk
dc.description.abstractruИсследованы зонные особенности входных импедансных характеристик неограниченных и ограниченных полупроводниковых сверхрешеток (СР). Взаимным сравнением зависимостей коэффициента отражения ограниченных СР и активной составляющей входного импеданса неограниченной СР проанализировано формирование зонной диаграммы ограниченными СР. В результате анализа зависимости параметров запрещенных зон ограниченных СР от количества барьеров проанализирована степень приближения параметров зонной диаграммы ограниченных СР к параметрам зонной диаграммы неограниченной СР.uk
dc.description.abstractukДосліджено зонні особливості вхідних імпедансних характеристик необмежених і обмежених напівпровідникових надґрат (НҐ). Взаємним порівняння залежностей коефіцієнта відбиття обмежених НҐ і активної складової вхідного імпедансу необмежених НҐ проаналізовано формування зонної діаграми обмеженими НҐ. В результаті аналізу залежності параметрів заборонених зон обмежених НҐ від кількості бар’єрів проаналізовано степінь наближення параметрів зонної діаграми обмежених НҐ до параметрів зонної діаграми необмежених НҐ.uk
dc.format.pagerangeC. 100-107uk
dc.identifier.citationХатян Д. В. Формування зонної діаграми напівпровідникових надґрат / Хатян Д. В., Гіндікіна М. А., Нелін Є. А. // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2015. – Вип. 62. – С. 100–107. – Бібліогр.: 5 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/15330
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceВісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць, Вип. 62uk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectнапівпровідникові надґратиuk
dc.subjectвхідний імпедансuk
dc.subjectзонна діаграмаuk
dc.subjectsemiconductor superlatticeuk
dc.subjectthe input impedanceuk
dc.subjectthe band diagramuk
dc.subjectmatching conditionsuk
dc.subjectполупроводниковые сверхрешеткиuk
dc.subjectвходной импедансuk
dc.subjectзонная диаграммаuk
dc.subject.udc537.311.6:621.372uk
dc.titleФормування зонної діаграми напівпровідникових надґратuk
dc.title.alternativeSemiconductor superlattice zone diagram formationuk
dc.title.alternativeФормирование зонной диаграммы полупроводниковых сверхрешетокuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
13.pdf
Розмір:
692.31 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.7 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць, Вип. 62