Уточненная модель МОП транзистора с частичным перекрытием затвора и проектирование малошумящего усилителя для ВЧ диапазона

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСингх, Индра Вижай
dc.contributor.authorАлам, Мухмад Шах
dc.contributor.authorАрмстронг, Г. А.
dc.date.accessioned2019-02-04T18:09:52Z
dc.date.available2019-02-04T18:09:52Z
dc.date.issued2013
dc.descriptionПолный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347013060010ru
dc.description.abstractruПредложена уточненная модель полевого SOI МОП транзистора с частичным перекрытием затвора по 90 нм технологии, которая учитывает неквази-статические и внешние паразитные эффекты. Полученные Y-параметры модели до 20 ГГц хорошо совпадают с результатами расчета в 2D ATLAS (ошибка ~5%), тогда как результаты квази-статической предикативной модели существенно отличаются (>20%). Рассчитанные граничная частота fT и максимальная частота колебаний fmax равны ~108 и ~130 ГГц соответственно. Определен коэффициент шума ≈2,8 дБ при IDS ≈ 0.64 мА, VDS = 1 В и Rge = 3 Ом. Малошумящий усилитель (МШУ) для работы в диапазоне 5,8 ГГц, рассчитанный с помощью предложенной модели, показал хорошее согласование входных (S11 ≈ –15 дБ) и выходных (S22 ≈ –16 дБ) характеристик, и коэффициента усиления S21 ≈ 15 дБ. Предложен коэффициент оценки качества МШУ FoMLNA, включающий коэффициент усиления мощности G, коэффициент шума F и потребление по постоянному току Pdc. Проведено сравнение различных МШУ при помощи FoMLNA и предложенной модели, которое показало практически трехкратное улучшение параметров рассмотренного усилителя.ru
dc.format.pagerangeС. 3-18ru
dc.identifier.citationСингх, И. В. Уточненная модель МОП транзистора с частичным перекрытием затвора и проектирование малошумящего усилителя для ВЧ диапазона / И. В. Сингх, М. Ш. Алам, Г. А. Армстронг // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2013. – Т. 56, № 6 (612). – C. 3–18. – Библиогр.: 23 назв.ru
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20535/S0021347013060010
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/26223
dc.language.isoruru
dc.publisherНТУУ «КПИ»ru
dc.publisher.placeКиевru
dc.sourceИзвестия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2013, Т. 56, № 6 (612)ru
dc.subjectчастичное перекрытие затвораru
dc.subjectнеквази-статическийru
dc.subjectкремний-на-диэлектрикеru
dc.subjectмалошумящий усилительru
dc.subjectнизкомощныйru
dc.subject.udc621.356.356ru
dc.titleУточненная модель МОП транзистора с частичным перекрытием затвора и проектирование малошумящего усилителя для ВЧ диапазонаru
dc.typeArticleru

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2013-06-03.pdf
Розмір:
56.97 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Первая страница
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.74 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника: международный ежемесячный научно-технический журнал, Т. 56, № 6 (612)