Уточненная модель МОП транзистора с частичным перекрытием затвора и проектирование малошумящего усилителя для ВЧ диапазона

Вантажиться...
Ескіз

Дата

2013

Науковий керівник

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

НТУУ «КПИ»

Анотація

Опис

Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347013060010

Ключові слова

частичное перекрытие затвора, неквази-статический, кремний-на-диэлектрике, малошумящий усилитель, низкомощный

Бібліографічний опис

Сингх, И. В. Уточненная модель МОП транзистора с частичным перекрытием затвора и проектирование малошумящего усилителя для ВЧ диапазона / И. В. Сингх, М. Ш. Алам, Г. А. Армстронг // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2013. – Т. 56, № 6 (612). – C. 3–18. – Библиогр.: 23 назв.