Моделювання виробництва GaAs методом LP-MOCVD

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСiряк, Т. В.
dc.contributor.authorГiльчук, А. В.
dc.date.accessioned2023-11-21T10:35:31Z
dc.date.available2023-11-21T10:35:31Z
dc.date.issued2023
dc.description.abstractДослiджено LP-MOCVD метод росту тонкої напiвпровiдникової плiвки GaAs, що базується на реакцiях хiмiчного осадження металоорганiчних сполук, а саме триетилгалiю (TEGа), при низькому тиску 3-50 Торр. Реагенти та носiї газу (водень) постачаються в реактор, де вони проходять ряд хiмiчних реакцiй на поверхнi пiдкладки, що призводить до вiдкладання тонкої плiвки GaAs на її поверхнi. Результати моделювання верифiкованi з експериментальними даними. Отримано значення швидкостi росту плiвки GaAs,графiкизалежностiвiдтемператури,тискута вхiдних умов.uk
dc.format.pagerangeС. 54-57uk
dc.identifier.citationСiряк, Т. В. Моделювання виробництва GaAs методом LP-MOCVD / Т. В. Сiряк, А. В. Гiльчук // XXI Всеукраїнська науково-практична конференція студентів, аспірантів та молодих вчених «Теоретичні і прикладні проблеми фізики, математики та інформатики» (Україна, м. Київ, 11-12 травня 2023 р.) : матеріали конференції. – Київ : КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2023. – С. 54-57.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/62345
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.relation.ispartofXXI Всеукраїнська науково-практична конференція студентів, аспірантів та молодих вчених «Теоретичні і прикладні проблеми фізики, математики та інформатики» (Україна, м. Київ, 11-12 травня 2023 р.) : матеріали конференціїuk
dc.subjectLP-MOCVDuk
dc.subjectарсенiд галiюuk
dc.subjectхiмiчне осадженняuk
dc.subjectтонкi плiвкиuk
dc.titleМоделювання виробництва GaAs методом LP-MOCVDuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
(54-57)_Siryak.pdf
Розмір:
873.4 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.1 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Актуальнi проблеми сучасної фiзики