Моделювання технології напівпровідникових матеріалів, приладів та інтегральних мікросхем – 1

dc.contributor.authorДомбругов, Михайло Ремович
dc.date.accessioned2018-04-13T09:18:40Z
dc.date.available2018-04-13T09:18:40Z
dc.date.issued2018
dc.descriptionОновлена версія: http://ela.kpi.ua/handle/123456789/24860
dc.description.abstractenThe workshop contains a description of 7 laboratory works in which students are encouraged to build mathematical models of phase equilibra of different types, processes of zone purification, liquid-phase epitaxy of multicomponent semiconductors. Their goal is to master the methods of mathematical modeling of physical and chemical phenomena, on which are based the technology of semiconductor materials for electronic devices.uk
dc.description.abstractruПрактикум содержит описание 7 лабораторных работ, в которых студентам предлагается построить математические модели фазовых равновесий разных типов, процессов зонной очистки, жидкофазной эпитаксии многокомпонентных полупроводников. Его целью является овладение методами математического моделирования физико-химических явлений, на которых базируются технологические процессы производства полупроводниковых материалов для электронных приборов.uk
dc.description.abstractukПратикум містить опис 7 лабораторних робіт, в яких студентам пропонується побудувати математичні моделі фазових рівноваг різниих типів, процесів зонної очистки, рідкофазової епітаксії багатокомпонентних напівпровідників. Його метою є опанування методів математичного моделювання фізико-хімічних явищ, на яких базуються технологічні процеси виробництва напівпровідникових матеріалів для електронних приладів.uk
dc.format.page51 с.uk
dc.identifier.citationДомбругов, М. Р. Моделювання технологій напівпровідникових матеріалів, приладів та інтегральних мікросхем – 1 [Електронний ресурс] : лабораторний практикум для студентів, які навчаються за спеціальністю 153 – «Мікро- та наносистемна техніка», спеціалізацією «Мікро- та наноелектронні прилади і пристрої» / М. Р. Домбругов ; КПІ ім. Ігоря Сікорського. – Електронні текстові дані (1 файл: 738,35 Мбайт). – Київ : КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2018. – 51 с. – Назва з екрана.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/22761
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectфазові рівновагиuk
dc.subjectфазовые равновесияuk
dc.subjectphase equilibrauk
dc.subjectдіаграма стануuk
dc.subjectдиаграмма состоянияuk
dc.subjectstate diagramuk
dc.subjectзонна плавкаuk
dc.subjectзонная плавкаuk
dc.subjectzone meltinguk
dc.subjectепітаксіяuk
dc.subjectэпитаксияuk
dc.subjectepitaxyuk
dc.subjectрегулярний розчинuk
dc.subjectрегулярный растворuk
dc.subjectregular solutionuk
dc.subjectпримусове охолодженняuk
dc.subjectпринудительное охлаждениеuk
dc.subjectforced coolinguk
dc.titleМоделювання технології напівпровідникових матеріалів, приладів та інтегральних мікросхем – 1uk
dc.typeBookuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
lab-mod-tpm-2018-approved.pdf
Розмір:
738.35 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Моделювання технології напівпровідникових матеріалів. Лаборатоний практикум.