Моделювання характеристик мікросмужкових ліній на багатошарових основах
dc.contributor.advisor | Голубєва, Ірина Петрівна | |
dc.contributor.author | Свєтогор, Артем Миколайович | |
dc.date.accessioned | 2023-08-29T09:26:12Z | |
dc.date.available | 2023-08-29T09:26:12Z | |
dc.date.issued | 2023 | |
dc.description.abstract | Мікросмужкові лінії на багатошарових основах мають значний потенціал при проектуванні НВЧ пристроїв у різних галузях електроніки. Тому задача адекватного моделювання таких структур є досить актуальною. В роботі було проведено дослідження моделей мікросмужкових ліній, наявних в середовищі MicrowaveOffice та обрано найактуальнішу для задачі дослідження мікросмужкової лінії на двошаровій підкладці. В ході чисельних експериментів було побудовано комірку, яка складалась із відрізка мікросмужкової лінії, яка була розташована на двошаровій основі. Було проведено дослідження впливу на S параметри комірки варіації діелектричної проникності верхнього шару підкладки. Встановлено, що використання підкладок із керованими властивостями, наприклад, залежною від напруженості статичного електричного поля діелектричною проникністю, дозволяє створювати перелаштовані пристрої. | uk |
dc.description.abstractother | Microstrip lines on multilayer substrates have significant potential in designing RF devices in various fields of electronics. Therefore, the task of adequately modeling such structures is quite relevant. In this study, the models of microstrip lines available in the MicrowaveOffice environment were investigated, and the most relevant one for studying a microstrip line on a two-layer substrate was selected. Through numerical experiments, a unit cell consisting of a segment of a microstrip line placed on a two-layer substrate was constructed. The influence of variations in the dielectric permittivity of the upper layer of the substrate on the S parameters of the unit cell was investigated. It was found that the use of substrates with controllable properties, such as dielectric permittivity dependent on the intensity of the static electric field, allows for the creation of tunable devices. | uk |
dc.format.extent | 64 с. | uk |
dc.identifier.citation | Свєтогор, А. М. Моделювання характеристик мікросмужкових ліній на багатошарових основах : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Свєтогор Артем Миколайович. – Київ, 2023. – 64 с. | uk |
dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/59593 | |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher | КПІ ім. Ігоря Сікорського | uk |
dc.publisher.place | Київ | uk |
dc.subject | мікросмужкова лінія | uk |
dc.subject | багатошарова основа | uk |
dc.subject | двошарова підкладка | uk |
dc.subject | перелаштовувані пристрої | uk |
dc.title | Моделювання характеристик мікросмужкових ліній на багатошарових основах | uk |
dc.type | Bachelor Thesis | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- Svetogor_bakalavr.pdf
- Розмір:
- 3.26 MB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 9.1 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: