Формування нанорозмірів структур мікроелектроніки

dc.contributor.authorКисіль, О. С.
dc.contributor.authorKysil, O. S.
dc.contributor.authorКисиль, О. С.
dc.date.accessioned2015-03-19T09:42:37Z
dc.date.available2015-03-19T09:42:37Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractenThe physical analysis of ion etching of surfaces which are often used in microelectronics is carried out; the article contains results of modeling using developed programuk
dc.description.abstractruПроведен физический анализ ионного травления поверхности часто используемых материалов микроэлектроники, а также результаты моделирования разработанной программойuk
dc.description.abstractukПроведено фізичний аналіз йонного травлення поверхні широковживаних матеріалів мікроелектроніки;наведені результати моделювання розробленою програмоюuk
dc.format.pageС. 149-153uk
dc.identifier.citationКисіль, О. С. Формування нанорозмірів структур мікроелектроніки / О. С. Кисіль // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2010. – № 40. – С. 149–153. – Бібліогр.: 3 назви.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/10999
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ "КПІ"uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.source.nameВісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових працьuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectйонне травленняuk
dc.subjectшвидкість травленняuk
dc.subjection etchinguk
dc.subjectetching speeduk
dc.subjectионное травлениеuk
dc.subjectскорость травленияuk
dc.subject.udc621.3.049.772uk
dc.titleФормування нанорозмірів структур мікроелектронікиuk
dc.title.alternativeFormation of nano-sizes in microelectronicsuk
dc.title.alternativeФормирование наноразмеров структур микроэлектроникиuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
40_149Kysil.pdf
Розмір:
551.75 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: