Фотодіод на основі InSb

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorІващук, Анатолій Васильович
dc.contributor.authorКульбачинський, Олександр Анатолійович
dc.date.accessioned2021-01-18T09:49:03Z
dc.date.available2021-01-18T09:49:03Z
dc.date.issued2020-12
dc.description.abstractenThe object of the study was an InSb-based photodiode formed by implantation of beryllium ions. The subject of the work is the distribution profile of the implanted impurity and the formed parasitic intrinsic oxides, volt-ampere characteristics of the photodiode. The purpose of this work is to improve the technological route for the manufacture of a photodiode based on n-InSb, which operates at 77 K, and to improve its parameters. A review of scientific and technical literature on a given topic, briefly provided information about sensors based on InSb, materials with similar properties, the prospects of development. Information on physical and technological aspects of the main processes of the technological route using ion implantation and rapid thermal annealing is presented. Foreign photodiodes are analyzed. The modeling of the device properties due to the change of technological parameters is carried out. The influence of anodic oxide on the structure of the material is investigated. The design and improved technological route of photodiode manufacturing are described. The results of research of distribution profiles and I – V characteristics are presented.uk
dc.description.abstractukОб’єктом дослідження став фотодіод на основі InSb утворений імплантацією іонів берилію. Предмет роботи – профіль розподілу імплантованої домішки та утворених паразитних власних оксидів, вольт-амперні характеристики фотодіода. Метою даної роботи є удосконалення технологічного маршруту для виготовлення фотодіода на основі n-InSb, який працює при 77 К, та удосконалення його параметрів. Проведено огляд науково-технічної літератури по заданій тематиці, коротко надано відомості про сенсори на основі InSb, матеріали з аналогічними властивостями, перспективність розробки. Викладена інформація про фізико- технологічні аспекти основних процесів технологічного маршруту з використанням іонної імплантації та швидкого термічного відпалу. Проаналізовано фотодіоди стороннього виготовлення. Проведено моделювання властивостей пристрою внаслідок зміни технологічних параметрів. Досліджено вплив анодного окислу на структуру матеріалу. Описано конструкцію та удосконалений технологічний маршрут виготовлення фотодіода. Викладені результати досліджень профілів розподілу та ВАХ.uk
dc.format.page102 с.uk
dc.identifier.citationКульбачинський, О. А. Фотодіод на основі InSb : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Кульбачинський Олександр Анатолійович. – Київ, 2020. – 102 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/38752
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.titleФотодіод на основі InSbuk
dc.typeMaster Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Kulbachynskyi_magistr.pdf
Розмір:
4.55 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Магістерські роботи (МЕ)
Магістерські роботи