Магістерські роботи (МЕ)
Постійне посилання зібрання
Переглянути
Перегляд Магістерські роботи (МЕ) за Автор "Борисов, Олександр Васильович"
Зараз показуємо 1 - 8 з 8
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ Відкритий доступ Активне інфрачервоне підсвічування для покращення оптичного зображення в умовах низької освітленості об’єкта(КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2023) Берест, Віталій Юрійович; Борисов, Олександр ВасильовичРоботу викладено на 94 сторінках і містить 4 розділи, 59 ілюстрацій, 20 таблиць, 16 джерел в переліку посилань, 1 схему електричну принципову, 1 додаток з лістингом програми. Метою даного дослідження є оптимізація режимів підсвічування об’єкта в умовах його критично низької чи повної відсутності природної освітленості білим світлом для отримання зображення, придатного для наступного суб’єктивного сприйняття, об’єктивного аналізу і оперативного використання в задачах орієнтації на місцевості та в аспекті формування рекомендацій енергоефективного використання акумуляторної батареї мобільного пристрою. Керуючись метою роботи сформульовано наступні задачі дослідження: - аналіз науково-технічної літератури за обраною темою; - експериментальні дослідження зразків комерційно доступних продуктів, оснащених вбудованими вузлами ІЧ-підсвічування, аналіз режимів їх функціонування, не наведених в технічній документації виробника; - вибір елементної бази та розробка вузлів елементів підсвічування з можливістю зміни режимів живлення для організації та постановки власного експерименту та автоматизованої обробки отриманого результату сучасними апаратними та програмними засобами; - розробка власних програмних засобів об’єктивної оцінки якості зображення, отриманого в режимі ІЧ-підсвічування, та його аналізу; - розробка рекомендацій стосовно енергоефективних режимів ІЧ підсвічування для мобільних систем відеоспостереження. Об’єктом дослідження є електронна система отримання зображення в умовах низької освітленості. Предметом дослідження є застосування активного ІЧ-підсвічування з метою покращення якості зображення в умовах низької освітленості об’єкта.Документ Відкритий доступ Електричні характеристики діодів Шотткі на основі IGZO(КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2022) Цуканов, Олександр Вадимович; Борисов, Олександр ВасильовичОб’єктом дослідження є визначення електричних характеристик діодів Шотткі на основі IGZO. Предмет роботи – алгоритм визначення електричних параметрів діодів Шотткі на основі IGZO. Метою роботи є розробка нового алгоритму визначення електричних характеристик діодів Шотткі (вбудований потенціал, статична діелектрична проникність матеріалу, щільність заряду в області збіднення, ширина області збіднення). Перший інформаційно-аналітичний розділ дозволив розглянути особливості застосування матеріалу IGZO у діодах Шотткі. У другому розділі викладено вольт-фарадні методи дослідження електричних параметрів Третій розділ присвячений порівняльному аналізу існуючих методів розрахунку електричних характеристик діодів Шотткі. У четвертому розділі розроблено новий алгоритм розрахунку електричних характеристик діодів Шотткі. У п’ятому розділі представлено розробку стартап-проєкту.Документ Відкритий доступ Модифікація електричних властивостей оксиду графену засобами скануючої зондової мікроскопії(2018) Малюта, Сергій Васильович; Борисов, Олександр ВасильовичПояснювальна записка містить 88 сторінок, 31 рисунок, 21 таблицю та 52 бібліографічних найменувань. Актуальність роботи зумовлена потребою в нових методах літографії із нанометровою роздільною здатністю а також у дослідженні нових матеріалів для різних галузей науки і техніки. В роботі розглянуті діагностичні та технологічні можливості скануючих зондових мікроскопів. Описані їх вимірювальні методики. Розглянуто різні методики скануючої зондової літографії. Наведені їх можливості, переваги та недоліки. Здійснено огляд властивостей та методів одержання оксиду графену. Описані перспективи його застосування. Встановлено особливості відновлення оксиду графену шляхом його температурного відпалу засобами Кельвін-зонд мікроскопії в режимі реального часу. Встановлені оптимальні параметри для проведення цієї технологічної операції. Здійснено наномеханічну модифікацію пластинок оксиду графену. Встановлені оптимальні параметри взаємодії зонду атомно-силового мікроскопу із поверхнею пластинок оксиду графену для їх керованої механічної модифікації. Метою дослідження є розроблена методика керованої модифікації пластинок оксиду графену а також отримання інформації про зміну їх властивостей в реальному часі. Об’єктами дослідження є методики нанозондової модифікації а також контролю в реальному часі електричних властивостей поверхні оксиду графену. Предметом дослідження є параметри взаємодії зонду атомно-силового мікроскопу із поверхнею пластинок оксиду графену а також зміна її властивостей у процесі відновлення. Методи дослідження включали в себе вимірювальні методики зондового мікроскопу, зокрема атомно-силову мікроскопію, провідну мікроскопію, силову Кельвін-зонд мікроскопію а також механічну скануючу зондову літографію. Наукова новизна полягає у визначенні параметрів взаємодії зонду із поверхнею оксиду графену для здійснення механічної модифікації, а також дослідження властивостей його поверхні в процесі відпалу в реальному часі за допомогою силової Кельвін-зонд мікроскопії. Результати наукових досліджень опубліковано у збірнику тез конференції «Лашкарьовські читання 2018» та у журналі «Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics»Документ Відкритий доступ Мікроелектронний перетворювач з бездротовим інтерфейсом для реєстрації параметрів дихання людини(КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2020) Панчошний, Дмитро Олегович; Борисов, Олександр ВасильовичOб’єктoм дoслiджeння стaв мiкpoeлeктpoнний пepвинний пepeтвopювaч для вимipювaння oб’ємних витpaт гaзу в реєстрації параметрів дихання людини. Пpeдмeт poбoти – кoнстpуктивнi peaлiзaцiї вимipювaльнoгo пepeтвopювaчa oб’ємних витpaт пoвiтpя з м iкpoeлeктpoнним сeнсopoм, йoгo мeтpoлoгiчнi пapaмeтpи i aлгopитми цифpoвoї oбpoбки сигнaлу. Мeтoю дaнoї poбoти є розробка пристрою для реєстрації параметрів дихання людини з бездротовим інтерфейсом на основі розробленого мікроелектроного первинного перетворювача. Пepший oглядoвo-iнфopмaцiйний poздiл poбoти дoзвoлив пoстaвити спeктp зaдaч, якi нeoбхiднo pозв’язувaти пpи poзpoбцi сучaснoгo мeтoду вдoскoнaлeння витpaтoмipу. У дpугoму poздiлi виклaдeнi пopiвняльнi хapaктepистики пepвинних пepeтвopювaчiв пoтoку пoвiтpя тa кopoткo нaдaнo iнфopмaцiю пpo дoслiджувaнi зpaзки. У тpeтьoму poздiлi вивчaється питaння мoжливoстi peaлiзaцiї нa oднoму мiкpoчiпi вбудoвaнoї цифpoвoї oбpoбки вхiднoгo сигнaлу. У чeтвepтoму розділі наводиться приклад технологічного маршруту виготовлення мікроелектронного датчика та його очікувані вихідні параметри. У п’ятому розділі представлена концепція реалізації пристрою з бездровим інтерфейсом за допомогою Wi-Fi модуля та веб-додатку. У шостому розділі пропонується старт-ап проект по впровадженню розробленого пристрою на світовий ринок.Документ Відкритий доступ Мікроелектронні сенсори в пристроях діагностики дихання(КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2023) Стеценко, Назар Тимофійович; Борисов, Олександр ВасильовичРоботу викладено на 79 сторінках і містить 5 розділи, 30 ілюстрацій, 23 таблиці, 16 джерел в переліку посилань, схему електричну принципову, 1 додаток. Метою даного дослідження є розробка та експериментальне дослідження макету пристрою для діагностики функції дихання людини на основі сучасних мікроелектронних сенсорів. Керуючись метою роботи сформульовано наступні задачі дослідження: - провести аналіз науково-технічної літератури за обраною темою; - аргументовано вибрати елементну базу для розробки макетів діагностичних вузлів; - запропонувати структуру дослідного стенду та виконати постановку власного експерименту; - виконати експериментальні дослідження макетного зразка, спроєктованого на основі сучасних комерційно доступних мікромеханічних сенсорних та мікроконтролерних вузлів, включаючи автоматизовану обробку отриманого сигналу сучасними апаратними та програмними засобами; - розробити рекомендації стосовно подальшого напрямку розробок з ефективним використанням функціональності сучасних сенсорних пристроїв.. Об’єктом дослідження є мікроелектронні сенсори для моніторингу та діагностики функції дихання людини. Предметом дослідження є структура та комплекс вимірювальних характеристик сучасних електронних сенсорних пристроїв та їх ефективне використання з метою розширення функціональності діагностичної апаратури.Документ Відкритий доступ Прилад для контролю параметрів акумуляторної батареї(КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2020-12) Ліпко, Дмитро Олегович; Борисов, Олександр ВасильовичОб’єктом дослідження стала літій-іонна акумуляторна батарея електромобіля Chevrolet Volt, потужністю 16 кВт год. Метою даної роботи є – розробка пристрою, що міг би вимірювати параметри акумуляторної батареї, аналізувати дані та виводити ці дані на дисплей, керувати зарядом та розрядом акумулятора. Перший інформаційно-аналітичний розділ роботи визначає призначення та галузі застосування пристрою. У другому розділі викладено короткий аналіз типів акумуляторів. У третьому розділі проводиться аналіз принципу роботи систем вимірювання та контролю параметрів акумуляторної батареї. У четвертому розділі, викладено етапи розробки принципової схеми пристрою. У п’ятому розділі викладено порядок виготовлення прототипу пристрою. У шостому розділі викладено розробку стартап проекту.Документ Відкритий доступ Симетричний тунельний діод(КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2019-12) Ясногородський, Максим Андрійович; Борисов, Олександр ВасильовичСтруктура і обсяг роботи: магістерську дисертацію виконано на 110 сторінках, що містять 6 розділів, 79 ілюстрації, 22 таблиці та 30 джерел в переліку посилань. Мета роботи: Моделювання роботи та ходу графіків вольт-амперної характеристики симетричного тунельного діоду. Рекомендації щодо використання результатів даних досліджень: Тунельний діод виявляється вельми перспективним приладом при детектуванні дуже малих напруг (близько 1 мВ), множенні і перетворенні високих частот і ін. Останнім часом з'явилися такі прилади, як транзистори з тунельним емітером, що дозволяють створювати більш досконалі імпульсні схеми. Дослідження в галузі вивчення фізики тунельного ефекту в напівпровідниках і створення приладів, які використовують цей ефект, знаходяться ще далеко не в завершеній фазі. Тому в найближчому майбутньому в цій галузі слід очікувати ще багато нових відкриттів і винаходів. В даній магістерській дисертації проведений опис вольт-амперної характеристики такої структури, а також побудовано вольт-амперну характеристику симетричного тунельного діода при різній концентрації домішок.Документ Відкритий доступ Симетричні кремнієві діодні структури p-n-p та n-p-n типу(2018) Шевлякова, Ганна Вікторівна; Борисов, Олександр ВасильовичПояснювальна записка складається з 82 сторінок, 4 розділів та містить 71 ілюстрацію, 22 таблиці, 15 джерел за переліком посилань. У сучасних побутових, промислових та медичних пристроях висуваються жорсткі вимоги до постійності напруги джерела живлення. Робота цих пристроїв при напругах відмінних від номінальних, порушуються режими роботи компонентів схеми. Це може призвести до погіршення характеристик пристроїв та виходу їх з ладу. Для запобігання подібних ситуацій напругу живлення стабілізують. В більшості випадків, головним компонентом схем стабілізації напруги є стабілітрон. До стабілітронів у таких схемах висуваються жорсткі вимоги до стабільності номінальної напруги при зміні температури. Найпростіший метод покращення температурної стабільності є послідовне зустрічне ввімкнення діодів. Окрім схем стабілізації таке з’єднання стабілітронів знайшло широкого застосування в схемах обмеження змінного струму. Отже перспективним є створення та використання приладів, в яких зустрічне послідовне ввімкнення діодів реалізовано на одному кристалі. В найпростішому випадку такі прилади є симетричними з p-n-p та n-p-n структурами. Теоретичні основи роботи таких приладів є не достатньо вивченими. Тому метою дисертації є дослідження вольт-амперних характеристик (ВАХ) таких структур та особливостей їх роботи. Для досягнення цієї мети було поставлено та вирішено наступні завдання: ознайомитися з основами тунельного та лавинного пробою p-n переходу; отримати аналітичну залежність ВАХ симетричної p-n-p структури від концентрації домішок; проаналізувати залежність ВАХ симетричної p-n-p структури від температури; запропонувати структуру напівпровідникового n+-p+-n+ приладу, яка працює на основі тунельного ефекту; описати принцип роботи n+-p+-n+ структури, принцип роботи якої засновано на тунельному ефекті; провести дослідження сплавних біполярних транзисторів та ланки з двох зустрічно ввімкнених тунельних діодів. Об'єктом дослідження є симетричні p-n-p та n-p-n структури. Предметом дослідження є вольт-амперна характеристика таких структур. В ході дослідження було використано наступні методи: моделювання фізичних процесів в напівпровідникових приладах, вимірювання ВАХ напівпровідникових приладів; визначення температурної залежності ВАХ напівпровідникових приладів, комп’ютерної обробки експериментальних даних. В роботі наведено якісний та кількісний опис роботи симетричної p-n-p структури. Запропоновано новий прилад з n+-p+-n+ структурою, в основу роботи якого покладено тунельний ефекту. Подано заявку на патентування корисної моделі запропонованого приладу. Результати роботи представлені на X Міжнародній науково-технічній конференції молодих вчених «Електроніка- 2017».