Симетричний тунельний діод
Вантажиться...
Дата
2019-12
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Структура і обсяг роботи: магістерську дисертацію виконано на 110 сторінках, що містять 6 розділів, 79 ілюстрації, 22 таблиці та 30 джерел в переліку посилань.
Мета роботи: Моделювання роботи та ходу графіків вольт-амперної характеристики симетричного тунельного діоду.
Рекомендації щодо використання результатів даних досліджень:
Тунельний діод виявляється вельми перспективним приладом при детектуванні дуже малих напруг (близько 1 мВ), множенні і перетворенні високих частот і ін. Останнім часом з'явилися такі прилади, як транзистори з тунельним емітером, що дозволяють створювати більш досконалі імпульсні схеми. Дослідження в галузі вивчення фізики тунельного ефекту в напівпровідниках і створення приладів, які використовують цей ефект, знаходяться ще далеко не в завершеній фазі. Тому в найближчому майбутньому в цій галузі слід очікувати ще багато нових відкриттів і винаходів. В даній магістерській дисертації проведений опис вольт-амперної характеристики такої структури, а також побудовано вольт-амперну характеристику симетричного тунельного діода при різній концентрації домішок.
Опис
Ключові слова
Si, Ge, GaAs, тунельний пробій, лавинний пробій, симетрична структура, домішки, діод, концентрація, температура, вольт-амперна характеристика
Бібліографічний опис
Ясногородський, М. А. Симетричний тунельний діод : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Ясногородський Максим Андрійович. – Київ, 2019. – 112 с.