Розраховані залежності відношення сигнал/шум та перепаду щільності потоку рентгенівських квантів, спричинені дефектом структури однорідного зразка напівпровідникового матеріалу (кремнію), від параметрів рентгенівського апарату, товщини зразка та відносного розміру дефекту. Виявлено особливості поведінки згаданих залежностей при малих товщинах зразків та запропоновано рекомендації щодо покращення характеристик систем рентгенівської дефектоскопії стосовно матеріалів електронної техніки.