Відносна чутливість дефектоскопічного контролю напівпровідникових матеріалів
Вантажиться...
Дата
2004
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУУ «КПІ»
Анотація
Розраховані залежності відношення сигнал/шум та перепаду щільності потоку рентгенівських квантів, спричинені дефектом структури однорідного зразка напівпровідникового матеріалу (кремнію), від параметрів рентгенівського апарату, товщини зразка та відносного розміру дефекту. Виявлено особливості поведінки згаданих залежностей при малих товщинах зразків та запропоновано рекомендації щодо покращення характеристик систем рентгенівської дефектоскопії стосовно матеріалів електронної техніки.
Опис
Ключові слова
X-ray television system, non-destructive testing, simulation, X-ray vidicon, CCD-matrix, semiconductor materials, рентгенотелевізійна система, неруйнівний контроль, моделювання, рентгеновідикон, ПЗЗ-матриця, напівпровідникові матеріали
Бібліографічний опис
Слободян, Н. В. Відносна чутливість дефектоскопічного контролю напівпровідникових матеріалів / Н. В. Слободян // Электроника и связь. – 2004. – №22. – С. 96-99