Электротепловой анализ мощных субмикронных полевых гетеротранзисторов на основе нитрида галлия

субмикронный гетероструктурный транзистор, нитрид галлия, тепловые поля, эффект саморазогрева, частотные характеристики усиления, submicron heterostructure transistor, gallium nitride, thermal fields, self-heating effect, gain frequency characteristics

Бібліографічний опис

Тимофеев, В. И. Электротепловой анализ мощных субмикронных полевых гетеротранзисторов на основе нитрида галлия / В. И. Тимофеев, Е. В. Семеновская, Е. М. Фалеева // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2016. – Т. 59, № 2 (644): Наноэлектроника. – C. 23–32. – Библиогр.: 18 назв.