1. ELAKPI
2. Наукова періодика
3. Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника: международный ежемесячный научно-технический журнал
4. 2015
5. Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника: международный ежемесячный научно-технический журнал, Т. 58, № 10 (640)

Title:	Методика построения и верификация нелинейной модели EEHEMT для GaN HEMT транзистора
Authors:	Коколов, Андрей Александрович Бабак, Леонид Иванович
Keywords:	СВЧ транзистор нелинейная модель экстракция измерение нагрузочная характеристика GaN HEMT
Issue Date:	2015
Publisher:	НТУУ «КПИ»
Citation:	Коколов, А. А. Методика построения и верификация нелинейной модели EEHEMT для GaN HEMT транзистора / А. А. Коколов, Л. И. Бабак // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2015. – Т. 58, № 10 (640). – C. 3–14. – Библиогр.: 17 назв.
Description:	Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347015100015
URI:	https://ela.kpi.ua/handle/123456789/22250
DOI:	https://doi.org/10.20535/S0021347015100015
Appears in Collections:	Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника: международный ежемесячный научно-технический журнал, Т. 58, № 10 (640)

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.