Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/23484
Title: Анализ влияния расширенной конфигурации n-МОП транзистора на параметры 4x1 мультиплексора
Authors: Джеин, Пратик
Джоши, А. М.
Keywords: расширенный n-МОП транзистор со статическим порогом
ST-ATNMOS
расширенный p-МОП транзистор с закороченным участком затвор-исток и n-МОП структурой
ASG-S PMOS-NMOS
мощность утечки
задержка
Issue Date: 2018
Publisher: КПИ им. Игоря Сикорского
Citation: Джейн, П. Анализ влияния расширенной конфигурации n-МОП транзистора на параметры 4x1 мультиплексора / П. Джейн, А. М. Джоши // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2018. – Т. 61, № 3 (669). – C. 163–172. – Библиогр.: 31 назв.
Description: Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347018030044
URI: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/23484
DOI: https://doi.org/10.20535/S0021347018030044
Appears in Collections:Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, Т. 61, № 3 (669)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2018-03-163.pdfПервая страница, библиогр.72.97 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.