Анализ влияния расширенной конфигурации n-МОП транзистора на параметры 4x1 мультиплексора
Вантажиться...
Дата
2018
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПИ им. Игоря Сикорского
Анотація
Опис
Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347018030044
Ключові слова
расширенный n-МОП транзистор со статическим порогом, ST-ATNMOS, расширенный p-МОП транзистор с закороченным участком затвор-исток и n-МОП структурой, ASG-S PMOS-NMOS, мощность утечки, задержка
Бібліографічний опис
Джейн, П. Анализ влияния расширенной конфигурации n-МОП транзистора на параметры 4x1 мультиплексора / П. Джейн, А. М. Джоши // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2018. – Т. 61, № 3 (669). – C. 163–172. – Библиогр.: 31 назв.