Разработка и сравнительный анализ схем перспективной технологии FinFET

Вантажиться...
Ескіз

Дата

2014

Науковий керівник

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

НТУУ «КПИ»

Анотація

Опис

Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347014120048

Ключові слова

технология FinFET, низкая мощность, помехоустойчивость, эффект короткого канала, мощность тока утечки

Бібліографічний опис

Равиндра Сингх Кушвах. Разработка и сравнительный анализ схем перспективной технологии FinFET / Равиндра Сингх Кушвах, Манорама Чаухан, Паван Шривастава, Шиам Акеше // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2014. – Т. 57, № 12 (630). – C. 43–51. – Библиогр.: 17 назв.