Уточненная модель МОП транзистора с частичным перекрытием затвора и проектирование малошумящего усилителя для ВЧ диапазона
Вантажиться...
Дата
2013
Автори
Сингх, Индра Вижай
Алам, Мухмад Шах
Армстронг, Г. А.
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУУ «КПИ»
Анотація
Опис
Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347013060010
Ключові слова
частичное перекрытие затвора, неквази-статический, кремний-на-диэлектрике, малошумящий усилитель, низкомощный
Бібліографічний опис
Сингх, И. В. Уточненная модель МОП транзистора с частичным перекрытием затвора и проектирование малошумящего усилителя для ВЧ диапазона / И. В. Сингх, М. Ш. Алам, Г. А. Армстронг // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2013. – Т. 56, № 6 (612). – C. 3–18. – Библиогр.: 23 назв.