Построение температурной модели p-n перехода
Вантажиться...
Дата
2011
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУУ "КПІ"
Анотація
Опис
Ключові слова
температура, полупроводниковый прибор, p-n переход, вольт-амперная характеристика, погрешность, напівпровідниковий прилад, p-n перехід, вольт-амперна характеристика, похибка, temperature, semiconductor device, p-n junction, current-voltage characteristic, error
Бібліографічний опис
Бобков Ю. В. Построение температурной модели p-n перехода / Ю. В. Бобков, А. Ю. Бобков // Механіка гіроскопічних систем : науково-технічний збірник. – 2011. – Вип. 24. – С. 75–84. – Бібліогр.: 14 назв.