Pадiацiйна стiйкiсть тестових npn транзисторiв IC з дiелектричною iзоляцiєю, виготовлених на кремнiї, iзовалентно легованому германiєм (SiGe)
Вантажиться...
Дата
2023
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Cклалася суперечлива оцiнка можливостi застосування германiя (Ge) для пiдвищення радiацiйної стiйкостi однорiдно легованого iзовалентною домiшкою кремнiю (Si). У рядi публiкацiй показано, що iснує лише обмежений вплив легування германiєм на радiацiйну стiйкiсть pn-структури при високоенергетичному електронному опромiненнi. Одночасно, спостерiгається помiтне покращення радiацiйної стiйкостi npnp-структур, виготовлених на SiGe, при γ-опромiненнi. З метою зняття протирiччя, проведене порiвняння радiацiйної деградацiї β тестових бiполярних транзисторних npn-структур iнтегральних схем (IС), виготовлених за однаковою технологiєю, «кремнiй з дiелектричною iзоляцiєю», на iзовалентно легованому германiєм кремнiї, SiGe, з рiзним вмiстом Ge, NGe =1,2·1019 ...1,2·1020 см−3. Коефiцiєнт статичного посилення β вимiряний до та пiсля опромiнення α-частинками. Опромiнення не корпусованих npn-структур α-частинками з енергiєю 4,5МеВ, проведене у спецiально спроектованiй та виготовленiй лабораторнiй установцi з використанням радiоiзотопних джерел; експериментально дослiджено npn-структури з двома товщинами бази, 0,25 i 0,35мкм. Залежнiсть, що апроксимує експериментальнi данi β(Φα) – рiвняння, що описує змiну коефiцiєнта посилення транзисторної npn-структури при α-опромiненнi, отримана з використанням програми OriginPRO. Результати для npn-структур с товщиною бази 0,25мкм показують сильну нелiнiйну залежнiсть рiвнянь β(Φα) вiд NGe. Деградацiя коефiцiєнта посилення контрольних транзисторiв, виготовлених за стандартною технологiєю (NGe =0), описується S-образною залежнiстю. Опромiнення npn-структур, сформованих на пластинах SiGe з рiзним рiвнем легування iзовалентною домiшкою призводить до повної змiни характеру залежностi. Для Φα ≤ 1011 см−2 характер змiни β практично однаковий для структур, виготовлених на пластинах з NGe =0 та NGe =2,5·1019 см−3, а також NGe =1,2·1019 см−3 та NGe =1,2·1020 см−3. При збiльшеннi Φα ≥ 1011 см−2 спостерiгається прискорена деградацiя коефiцiєнта посилення npnструктур, виготовлених на пластинах NGe =2,5 · 1019 см−3. Цей рiвень легування кремнiю германiєм не прийнятний з погляду пiдвищення радiацiйної стiйкостi Si. При Φα ≤ 1014 см−2 радiацiйна стiйкiсть npn-структур, виготовлених на пластинах SiGe з NGe = 1,2 · 1019 см−3 приблизно в два рази нижче, нiж у контрольних структур з NGe =0. Для транзисторiв з товщиною бази 0,35мкм вiдсутнiй ефект змiни характеру деградацiї β(Φα). Спостерiгається залежнiсть, шо пiдтверджує можливiсть уповiльнення радiацiйної деградацiї значення коефiцiєнта пiдсилення npn-структур, виготовлених на SiGe. Пiдвищення радiацiйної стiйкостi в 2...3 рази для тестових транзисторiв, виготовлених на пластинах SiGe, легованих NGe = 7,5 · 1019 см−3, спостерiгається в широкому дiапазонi доз α-опромiнення, 1011 ≤ Φα ≤ 1014 см−2.
Опис
Ключові слова
пiдвищення радiацiйної стiйкостi, npn структура, α-опромiнення, легування кремнiю германiєм, рiвень легування iзовалентною домiшкою, деградацiя коефiцiєнта пiдсилення, increase of radiation resistance, npn structure, doping of silicon with germanium, doping level with isovalent impurity, degradation of the amplification factor
Бібліографічний опис
Биткiн, С. В. Pадiацiйна стiйкiсть тестових npn транзисторiв IC з дiелектричною iзоляцiєю, виготовлених на кремнiї, iзовалентно легованому германiєм (SiGe) / Биткiн С. В., Критська Т. В. // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2023. – Вип. 91. – С. 72-78. – Бібліогр.: 38 назв.