Моделювання впливу темплетних розмірів на дислокаційність наноструктур при селективній епітаксії ІІІ-нітридів
Вантажиться...
Дата
2011
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУУ «КПІ»
Анотація
Розглянуто спрощену модель процесу зародження дефектів для оптимізації темплетних шарів нанооструктур з тривимірним обмеженням. При використанні оптимізованих темплетних шарів пористого анодного оксиду алюмінію, сформованого на Si (100) підкладці, вирощено методом хлоридгидридної газофазної епітаксії шар нітриду галію, який виявився неполярним з (11 2 0) α-орієнтацією і малою анізотропією. Спектри мікро катодолюмінісценції вирощених плівок підтверджують низьку щільність дефектів упаковки.
Опис
Ключові слова
дислокації, наноструктури, GaN, селективна епітаксія, III – нітриди, dislocation, nanostructures, selective epitaxy, III – nitrides
Бібліографічний опис
Ляхова, Н. О. Моделювання впливу темплетних розмірів на дислокаційність наноструктур при селективній епітаксії ІІІ-нітридів / Ляхова Н. О. // Электроника и связь : научно-технический журнал. Тематический выпуск «Электроника и нанотехнологии». – 2011. – №3(62). – С. 39-43. – Бібліогр.: 24 назви.