Моделювання інфрачервоного світлодіода на основі GaAs
Вантажиться...
Дата
2024
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
З поширенням електроніки по всьому світу використання світлодіодів у різних електронних пристроях, від пультів дистанційного керування до освітлення складів, експоненційно зросло. При проектуванні світлодіодів найважливішими факторами залишаються мінімальне споживання енергії та максимальна ефективність випромінювання. Світлодіоди на основі GaAs зазвичай працюють у близькому інфрачервоному регіоні, випромінюючи інфрачервоне світло, яке не можна виявити за допомогою людського ока. Такі світлодіоди знаходять застосування у пультах дистанційного керування, медичних пристроях, камерах тощо. У цій статті розглядається моделювання світлодіода на основі GaAs з високою ефективністю випромінювання та мінімальним споживанням енергії. Завдяки відповідному легуванню p-типу неподалік від n-пластини досягається високий рівень збудження в інфрачервоному регіоні, що сприяє максимальній ефективності випромінювання світла. Це відкриває шлях для застосування світлодіодів на основі GaAs у різних оптоелектронних пристроях у майбутньому.
Опис
Ключові слова
світлодіод, арсенід галію, інфрачервоний регіон, оптичний перехід, оптоелектроніка
Бібліографічний опис
Сіряк, Т. В. Моделювання інфрачервоного світлодіода на основі GaAs / Т. В. Сіряк, А. В. Гільчук // Теоретичні і прикладні проблеми фізики, математики та інформатики : матерiали XXII Всеукраїнської науково-практичної конференцiї студентiв, аспiрантiв та молодих вчених, [Київ], 13−17 травня 2024 р. / КПІ ім. Ігоря Сікорського. – Київ, 2024. – С. 45-47.