Моделирование субмикронных гетеротранзисторов с низкоразмерными системами
Вантажиться...
Дата
2011
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
Опис
Ключові слова
субмікронні гетероструктурні транзистори, квантові точки, фізико-топологічна модель, квантові ефекти, субмикронные гетеротранзисторы, квантовые точки, физико-топологическая модель, квантовые эффекты, submicron heterotransistors, quantum dots, HEMT with QD, physical-topological model, quantum effects
Бібліографічний опис
Фалеева Е. М. Моделирование субмикронных гетеротранзисторов с низкоразмерными
системами : дисс. ... канд. техн. наук : 05.27.01 – твердотельная электроника / Е. М. Фалеева. - К., 2011. - 147 л. + CD-ROM