Моделювання впливу вмісту індію та ширини квантової ями на характеристики InGaN/GaN світлодіодів
Вантажиться...
Дата
2026
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
У роботі виконано чисельне моделювання електричних та оптичних характеристик світлодіодної структури InGaN/GaN з однією квантовою ямою з використанням програмного пакету
ddcc_1d. Досліджено вплив вмісту індію (12–23%) та ширини квантової ями (1.7–2.7 нм) на вольтамперні характеристики, внутрішню квантову ефективність і спектри випромінювання. Показано,
що зі збільшенням вмісту індію максимум внутрішньої квантової ефективності зміщується в
область меншої щільності струму, при цьому спостерігається зростання напруги ввімкнення
світлодіода та зміщення спектра випромінювання в довгохвильову область. Зменшення ширини
квантової ями призводить до зміщення максимуму внутрішньої квантової ефективності в область
більшої щільності струму, зниження напруги ввімкнення світлодіода та зміщення спектра випромінювання в короткохвильову область. Для ширини ями в 1.7-2 нм спостерігається більш раннє
зростання внутрішньої квантової ефективності в області малих струмів порівняно зі структурами
з ямою шириною 2.6 нм. На збільшення ширини квантової ями встановлено обмеження, пов’язане
зі збіжністю розрахунків використовуваного пакету для даної структури.
Опис
Ключові слова
InGaN/GaN, світлодіоди, квантова яма, вміст індію, внутрішня квантова ефективність (internal quantum efficiency — IQE)
Бібліографічний опис
Ільчук, Ю. М. Моделювання впливу вмісту індію та ширини квантової ями на характеристики InGaN/GaN світлодіодів / Ю. М. Ільчук, В. В. Іванова // Теоретичні і прикладні проблеми фізики, математики та інформатики : матерiали XXIV Всеукраїнської науково-практичної конференцiї студентiв, аспiрантiв та молодих вчених, [Київ], 13−16 травня 2026 р. / КПІ ім. Ігоря Сікорського. – Київ, 2026. – С. 27-32.