Моделювання впливу вмісту індію та ширини квантової ями на характеристики InGaN/GaN світлодіодів

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorІльчук, Ю. М.
dc.contributor.authorІванова, В. В.
dc.date.accessioned2026-05-19T14:03:46Z
dc.date.available2026-05-19T14:03:46Z
dc.date.issued2026
dc.description.abstractУ роботі виконано чисельне моделювання електричних та оптичних характеристик світлодіодної структури InGaN/GaN з однією квантовою ямою з використанням програмного пакету ddcc_1d. Досліджено вплив вмісту індію (12–23%) та ширини квантової ями (1.7–2.7 нм) на вольтамперні характеристики, внутрішню квантову ефективність і спектри випромінювання. Показано, що зі збільшенням вмісту індію максимум внутрішньої квантової ефективності зміщується в область меншої щільності струму, при цьому спостерігається зростання напруги ввімкнення світлодіода та зміщення спектра випромінювання в довгохвильову область. Зменшення ширини квантової ями призводить до зміщення максимуму внутрішньої квантової ефективності в область більшої щільності струму, зниження напруги ввімкнення світлодіода та зміщення спектра випромінювання в короткохвильову область. Для ширини ями в 1.7-2 нм спостерігається більш раннє зростання внутрішньої квантової ефективності в області малих струмів порівняно зі структурами з ямою шириною 2.6 нм. На збільшення ширини квантової ями встановлено обмеження, пов’язане зі збіжністю розрахунків використовуваного пакету для даної структури.
dc.format.pagerangeС. 27-32
dc.identifier.citationІльчук, Ю. М. Моделювання впливу вмісту індію та ширини квантової ями на характеристики InGaN/GaN світлодіодів / Ю. М. Ільчук, В. В. Іванова // Теоретичні і прикладні проблеми фізики, математики та інформатики : матерiали XXIV Всеукраїнської науково-практичної конференцiї студентiв, аспiрантiв та молодих вчених, [Київ], 13−16 травня 2026 р. / КПІ ім. Ігоря Сікорського. – Київ, 2026. – С. 27-32.
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/80915
dc.language.isouk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.relation.ispartofТеоретичні і прикладні проблеми фізики, математики та інформатики : матерiали XXIV Всеукраїнської науково-практичної конференцiї студентiв, аспiрантiв та молодих вчених, 13−16 травня 2026 р., м. Київ, Україна
dc.subjectInGaN/GaN
dc.subjectсвітлодіоди
dc.subjectквантова яма
dc.subjectвміст індію
dc.subjectвнутрішня квантова ефективність (internal quantum efficiency — IQE)
dc.subject.udc621.382.3:535.2
dc.titleМоделювання впливу вмісту індію та ширини квантової ями на характеристики InGaN/GaN світлодіодів
dc.typeArticle

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
(27-32)_SectionAppPhys_Ilchuk.pdf
Розмір:
919.07 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Теоретичні і прикладні проблеми фізики, математики та інформатики (24 ; 2026 ; Київ)