Сенсор тиску на основі діодної структури
Вантажиться...
Дата
2021
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Робота налічує 80 сторінок 61 ілюстрацій, 19 таблиць, 3 додатка, та 53 джерела за переліком посилань.
Метою і основним завданням магістерської дисертації є побудова сенсора тиску на основі гетероструктури матеріалів групи А 2 В 6 із п’єзофототронним ефектом.
Для цього діоди на основі різних матеріалів групи А 2 В 6 було досліджено за допомогою електричних вимірів, а саме світлових та темнових вольт-амперних характеристики (ВАХ) без тиску та прикладанні тиску до зразка. Отримані ВАХ дозволили зробити розрахунки діодних параметрів, а саме контактної різниці потенціалів, диференціальний опір зразків, зворотний струм насичення, час прольоту електронів, послідовного та паралельного опорів.
На підставі зроблених розрахунків було зроблено моделювання досліджених зразків в програмному середовищі Matlab Simulink. Було визначено основні параметри моделі. Побудовано модель сенсора тиску.
Таким чином, в роботі було виконано моделювання діодної структури з п’єзовластивостями з визначенням основних параметрів в схемі заміщення.
Новизною роботи є дослідження ВАХ діодних структур під впливом тиску, які показали, що досліджені структури демонструють п’єзо фототронні властивості. Вперше зроблено розрахунки параметрів цих діодних структур. Вперше зроблено моделювання таких діодних структур. Виконане комплексне дослідження та розрахунки дозволили виконати моделювання та проектування діодної структури з п’єзо властивостями, котра є основою моделі сенсора тиску. Отримані результати мають наукову та проектну цінність з метою подальшого дослідження подібних діодних структур та створення функціонального приладу на їх основі.
Опис
Ключові слова
діодна гетероструктура, матеріали А 2 В 6, розрахунок діодних параметрів, моделювання Matlab Simulink, diode heterostructure, A 2 B 6 materials, calculation of diode parameters, Matlab Simulink modeling
Бібліографічний опис
Балашов, К. Є. Сенсор тиску на основі діодної структури : магістерська дис. : 171 Електроніка / Балашов Кіріл Євгенович. – Київ, 2021. – 84 с.