Сенсор тиску на основі діодної структури

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorСемікіна, Тетяна
dc.contributor.authorБалашов, Кіріл Євгенович
dc.date.accessioned2025-10-08T09:47:52Z
dc.date.available2025-10-08T09:47:52Z
dc.date.issued2021
dc.description.abstractРобота налічує 80 сторінок 61 ілюстрацій, 19 таблиць, 3 додатка, та 53 джерела за переліком посилань. Метою і основним завданням магістерської дисертації є побудова сенсора тиску на основі гетероструктури матеріалів групи А 2 В 6 із п’єзофототронним ефектом. Для цього діоди на основі різних матеріалів групи А 2 В 6 було досліджено за допомогою електричних вимірів, а саме світлових та темнових вольт-амперних характеристики (ВАХ) без тиску та прикладанні тиску до зразка. Отримані ВАХ дозволили зробити розрахунки діодних параметрів, а саме контактної різниці потенціалів, диференціальний опір зразків, зворотний струм насичення, час прольоту електронів, послідовного та паралельного опорів. На підставі зроблених розрахунків було зроблено моделювання досліджених зразків в програмному середовищі Matlab Simulink. Було визначено основні параметри моделі. Побудовано модель сенсора тиску. Таким чином, в роботі було виконано моделювання діодної структури з п’єзовластивостями з визначенням основних параметрів в схемі заміщення. Новизною роботи є дослідження ВАХ діодних структур під впливом тиску, які показали, що досліджені структури демонструють п’єзо фототронні властивості. Вперше зроблено розрахунки параметрів цих діодних структур. Вперше зроблено моделювання таких діодних структур. Виконане комплексне дослідження та розрахунки дозволили виконати моделювання та проектування діодної структури з п’єзо властивостями, котра є основою моделі сенсора тиску. Отримані результати мають наукову та проектну цінність з метою подальшого дослідження подібних діодних структур та створення функціонального приладу на їх основі.
dc.description.abstractotherThe work has 80 pages, 61 illustrations, 19 tables, 3 appendices, and 53 sources on the list of links. The aim and main task of the master's dissertation is to build a pressure sensor based on the heterostructure of A2B6 materials with piezophototron effect. For this purpose, diodes based on different materials of group A2B6 were investigated using electrical measurements, namely light and dark volt-ampere characteristics (I – V characteristics) without any pressure and applying pressure to the sample. The obtained I – V characteristics allowed to make calculations of diode parameters, such as: contact potential difference, differential resistance of samples, reverse saturation current, electron flight time, series and parallel resistances. Based on the calculations, the simulations of the studied samples were made in the Matlab Simulink software environment. The main parameters of the model were determined. Thus, the modeling of the diode structure with piezoelectric properties was performed with the definition of the main parameters in the substitution scheme. The novelty of the work is the study of the I – V characteristics of diode structures under the influence of pressure, which showed that the studied structures exhibit piezophototronic properties. For the first time, the parameters of these diode structures were calculated. For the first time modeling of such diode structures is made. The performed complex research and calculations allowed to perform modeling and design of diode structure with piezo properties. The obtained results have scientific and design value for the purpose of further research of similar diode structures and creation of a functional device based on them.
dc.format.extent84 с.
dc.identifier.citationБалашов, К. Є. Сенсор тиску на основі діодної структури : магістерська дис. : 171 Електроніка / Балашов Кіріл Євгенович. – Київ, 2021. – 84 с.
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/76678
dc.language.isouk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.subjectдіодна гетероструктура
dc.subjectматеріали А 2 В 6
dc.subjectрозрахунок діодних параметрів
dc.subjectмоделювання Matlab Simulink
dc.subjectdiode heterostructure
dc.subjectA 2 B 6 materials
dc.subjectcalculation of diode parameters
dc.subjectMatlab Simulink modeling
dc.subject.udc681.586.773
dc.titleСенсор тиску на основі діодної структури
dc.typeMaster Thesis

Файли

Зібрання

Магістерські роботи (ЕПС)
Магістерські роботи