Електрохімічна поведінка кремнію у травильних розчинах плавикової та нітратної кислот
dc.contributor.advisor | Лінючева, Ольга Володимирівна | |
dc.contributor.author | Аксьонова, Ольга Володимирівна | |
dc.date.accessioned | 2023-06-05T13:32:18Z | |
dc.date.available | 2023-06-05T13:32:18Z | |
dc.date.issued | 2021 | |
dc.description.abstract | В магістерській дисертації проведено літературний пошук по створенню омічних контактів метал-напівпровідник, дослідженню процесів хімічного травлення у плавиковій та нітратній кислоті, фотоелектричні властивості напівпровідників. Створено електрохімічну комірку, отримано електрод з контактом метал-напівпровідник. Отримані циклічні вольт-амперні характеристики у розчинах плавикової та нітратної кислоти різних концентрацій і за різної інтенсивності освітлення. Методом скануючої електронної мікроскопії встановлено структуру кремнію після травлення у розчині. Показано вплив освітлення на інтенсивність травлення у розчинах. Визначено вплив реверсивного режиму подачі напруги на процес травлення у розчині, що містить плавикову і нітратну кислоту. Зроблено висновки про природу протікаючих реакцій на електродах. Визначено оптимальний режим травлення, необхідну концентрацію компонентів і ступеню освітленості в залежності від необхідного результату. | uk |
dc.description.abstractother | In the course of work, according to the set tasks, strong contact metal-semiconductor was created thanks to what it was possible to remove correct I – V characteristics in the further research in solutions of various structure. Contact was obtained mechanically and chemically by ultrasonic polishing and contact exchange in the process of applying a solution of copper sulfate with hydrofluoric acid. The resulting contact provided a resistance of the structure of 105 Ohm / mm. A study of the behavior of silicon in etching solutions containing hydrofluoric and nitric acid in different ratios and under different light intensities. It is established that in the range 0–0.5 V in solutions containing nitric acid there is a drop in current from what should be theoretical, due to the formation on the surface of a layer of SiOx, which prevents the reaction at the rate to be observed. It was determined that despite the increase in the concentration of hydrofluoric acid, the solution under study did not show an increase in current values and is not promising in terms of digestion. This may be due to the lower electrical conductivity of the solution. Whereas in the case of using a solution with a higher content of nitric acid, the value of electrical conductivity is higher, due to the fact that nitric acid is a strong acid and dissociates almost completely, in contrast to hydrofluoric acid with a degree of dissociation in dilute solutions of about 9%. In general, it can be noted that the effect of light intensity on the etching solutions is significant, so the use of herbalists should be in a controlled lighting mode, if necessary, the intensification process must use additional light sources. Examining the anodes with an optical microscope, it was also found that in a solution with a higher content of nitric acid, the dissolution process is more uniform, which is reflected by the change in the larger area of the electrode immersed in the solution. Cathodes used in solutions of different compositions and in different modes of lighting and voltage supply remained unchanged, so we can conclude that even a small current protects the plate from etching and is sufficient. The use of reverse voltage mode allows you to understand that the possible etching rate when using solutions having nitric acid are much higher than those obtained using the direct voltage mode. However, the value of the reverse voltage in this mode is quite significant. The voltage of 6.5 V is not enough to dissolve the SiOx film on the surface, and the reaction occurs with the same intensity as in the direct mode. Whereas a voltage of 12.5 V is sufficient, and you can see that the reaction is more intense. The results are confirmed by studying the samples in an optical microscope. | uk |
dc.format.extent | 79 с. | uk |
dc.identifier.citation | Аксьонова, О. В. Електрохімічна поведінка кремнію у травильних розчинах плавикової та нітратної кислоти : магістерська дис. : 161 Хімічні технології та інженерія / Аксьонова Ольга Володимирівна. – Київ, 2021. – 79 с. | uk |
dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/56641 | |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher | КПІ ім. Ігоря Сікорського | uk |
dc.publisher.place | Київ | uk |
dc.subject | кремній, | uk |
dc.subject | напівпровідні матеріали | uk |
dc.subject | травлення кремнію | uk |
dc.subject | P – N – переходи | uk |
dc.subject | фотоелектричні властивості напівпровідників. | uk |
dc.subject.udc | 620.184 | uk |
dc.title | Електрохімічна поведінка кремнію у травильних розчинах плавикової та нітратної кислот | uk |
dc.type | Master Thesis | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- Aksonova_magistr.pdf
- Розмір:
- 3.09 MB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
- .
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 1.71 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: