Аналіз теплових процесів у низькорозмірних транзисторних структурах

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorСеменовська, Олена Володимирівна
dc.contributor.authorАбдураїмова, Софія Арсеніївна
dc.date.accessioned2024-09-19T11:33:29Z
dc.date.available2024-09-19T11:33:29Z
dc.date.issued2024
dc.description.abstractОб’єктом розгляду є низькорозмірна транзисторна структура AlGaN/GaN. Предметом роботи є дослідження розподілу температури у низькорозмірних транзисторних структурах шляхом математичного моделювання. Метою дослідження є визначення теплових параметрів низькорозмірних транзисторних структур на основі матеріалів типу A3B5, що дозволяє покращити якість та надійність цих структур на етапі їх розробки, а також зменшити витрати на виробництво та тестування. У першому розділі описуються основні характеристики низькорозмірних транзисторних структур, зокрема наноструктур і гетероструктур, а також їх властивості. Другий розділ присвячений різним методам теплового аналізу транзисторних структур: аналітичним, чисельним, еквівалентним, експериментальним та комбінованим методам. У цьому розділі розглядаються переваги та недоліки кожного методу. У третьому розділі представлена математична модель та алгоритм розрахунку транзисторної структури. Також визначаються граничні умови для структури. Четвертий розділ зосереджений на моделюванні розподілу температури у низькорозмірних транзисторних структурах за різних параметрів, таких як довжина затвору та висота прошарків. Це дослідження спрямоване на вдосконалення розробки та експлуатації транзисторних структур, що використовуються у сучасних технологіях.
dc.description.abstractotherThe evolution of electronic devices is fundamentally intertwined with advancements in transistor technology. As the industry continuously strives for miniaturization, the thermal management of semiconductor devices becomes increasingly critical. Overheating not only degrades performance but also reduces the lifespan and reliability of electronic components. This thesis focuses on the thermal analysis of low-dimensional transistor structures, which are essential in modern high-performance electronics. By understanding and optimizing the thermal properties of these devices, we can enhance their efficiency and reliability. The first section describes the main characteristics of low-dimensional transistor structures, including nanostructures and heterostructures, as well as their properties. The second section is devoted to various methods of thermal analysis of transistor structures: analytical, numerical, equivalent, experimental and combined methods. This section discusses the advantages and disadvantages of each method. The third section presents the mathematical model and algorithm for calculating the transistor structure. The boundary conditions for the structure are also defined. The fourth section focuses on the modelling of temperature distribution in low-dimensional transistor structures with different parameters, such as gate length and layer height. This research is aimed at improving the design and operation of transistor structures used in modern technologies.
dc.format.extent76 с.
dc.identifier.citationАбдураїмова, С. А. Аналіз теплових процесів у низькорозмірних транзисторних структурах : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Абдураїмова Софія Арсеніївна. – Київ, 2024. – 76 с.
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/69072
dc.language.isouk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.subjectнизькорозмірні транзисторні структури
dc.subjectметоди теплового аналізу
dc.subjectрозподіл поля
dc.titleАналіз теплових процесів у низькорозмірних транзисторних структурах
dc.typeBachelor Thesis

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Abduraimova_bakalavr.pdf
Розмір:
1.6 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Бакалаврські роботи (ЕІ)
Бакалаврські роботи