Іон-селективні польові транзистори. Розрахунок порогової напруги

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorПрищепа, М. М.
dc.contributor.authorЛозовий, С. В.
dc.contributor.authorPrishchepa, M. M.
dc.contributor.authorLozovyi, S. V.
dc.contributor.authorПрищепа, Н. М.
dc.contributor.authorЛозовой, С. В.
dc.date.accessioned2014-06-21T11:30:22Z
dc.date.available2014-06-21T11:30:22Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractenIon-selective field-effect transistors (ISFET) are being developed and improved to study ion solution composition. It is necessary to determine threshold ISFET voltage on the basis of process data for design and improvement of sensor control circuit. The threshold voltage analytical calculation for p-channel ISFET is presented in this article.uk
dc.description.abstractruРазрабатываются и усовершенствуются сенсоры на основе ион-селективных полевых транзисторов (ИСПТ) для исследования ионного состава растворов. Для проектирования и усовершенствования схем управления сенсорами необходимо определять пороговое напряжение ИСПТ, исходя из данных технологического процесса. В статье приведен аналитический расчет порогового напряжения р-канального ИСПТ.uk
dc.description.abstractukРозробляються та вдосконалюються сенсори на основі іон-селективних польових транзисторів (ІСПТ) для дослідження іонного складу розчинів. Для проектування та вдосконалення схем управління сенсорами необхідно визначати порогову напругу ІСПТ за даними технологічного процесу. У статті наведено аналітичний розрахунок порогової напруги p-канального ІСПТ.uk
dc.format.pageС. 105-113uk
dc.identifier.citationПрищепа, М. М. Іон-селективні польові транзистори. Розрахунок порогової напруги / М. М. Прищепа, С. В. Лозовий // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2012. – № 50. – С. 105–113. – Бібліогр.: 5 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/8009
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.source.nameВісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових працьuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectіон-селективний польовий транзистор (ІСПТ)uk
dc.subjectйонний склад розчинуuk
dc.subjectпорогова напругаuk
dc.subjection-selective field-effect transistor(ISFET)uk
dc.subjection solution compositionuk
dc.subjectthreshold voltageuk
dc.subjectион-селективный полевой транзистор (ИСПТ)uk
dc.subjectионный состав раствораuk
dc.subjectпороговое напряжениеuk
dc.subject.udc621.3.049.774uk
dc.titleІон-селективні польові транзистори. Розрахунок порогової напругиuk
dc.title.alternativeIon-selective field-effect transistors. Threshold voltage calculationuk
dc.title.alternativeИон-селективные полевые транзисторы. Расчет порогового напряженияuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
50_105.pdf
Розмір:
449.62 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць, № 50