Іон-селективні польові транзистори. Розрахунок порогової напруги
Вантажиться...
Дата
2012
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУУ «КПІ»
Анотація
Опис
Ключові слова
іон-селективний польовий транзистор (ІСПТ), йонний склад розчину, порогова напруга, ion-selective field-effect transistor(ISFET), ion solution composition, threshold voltage, ион-селективный полевой транзистор (ИСПТ), ионный состав раствора, пороговое напряжение
Бібліографічний опис
Прищепа, М. М. Іон-селективні польові транзистори. Розрахунок порогової напруги / М. М. Прищепа, С. В. Лозовий // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2012. – № 50. – С. 105–113. – Бібліогр.: 5 назв.