КМДН-інвертор з довжинами каналів транзисторів субмікрометрового діапазону

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorЯкименко, Юрій Іванович
dc.contributor.authorОсадчий, Євгеній Андрійович
dc.date.accessioned2021-07-12T08:51:12Z
dc.date.available2021-07-12T08:51:12Z
dc.date.issued2021
dc.description.abstractenThіs is is performed on 46 pages, containing an introduction, 4 sections, 20 illustrations, 14 sources of references. The object of the study is a KMDN inverter on transistors with submicron channels. The subject is to compare the results of the study by known methods. Objective: to analyze the existing designs and methods of implementation of KMDN inverters with submicron channels. In the introduction the theoretical bases of operation of the classical MDN-transistor and KMDN-inverter are considered. The first section is devoted to the manufacturing process and electrical measurement of a multi-gate KMDN transistor with midgap gate material. In the second section, the effect of high-k dielectric and dielectric materials on deep submicrometer MOSFETs is modeled. In the third section, the manufacturing process of field-effect transistors with medium-density Schottky nanowires is investigated and their properties are analyzed. The fourth section is devoted to the study of transistors with an ultra-thin midgap gate on a silicon substrate on the insulator, modeling and consideration of its electrical characteristics.uk
dc.description.abstractukДипломна робота виконана на 46 сторінках, що містять вступ, 4 розділи, 20 ілюстрацій, 14 джерел посилань. Об’єктом дослідження є КМДН-інвертор на транзисторах з субмікронними каналами. Предметом є порівняння результатів дослідження за відомими методами. Мета: проаналізувати існуючі конструкції та способи реалізації КМДН-інверторів з субмікронними каналами. У вступі розглянуто теоретичні основи роботи класичного МДН-транзистора та КМДН-інвертора. Перший розділ присвячений процесу виготовлення та електричним вимірюванням багатозатворного КМДН-транзистору з midgap матеріалом затвору. У другому розділі проведено моделювання впливу high-k діелектрика та діелектричних матеріалів на глибокі субмікрометрові МДН-транзистори. У третьому розділі досліджено процес виготовлення польових транзисторів з нанопровідними нанопроволоками Шотткі середньої щільності та проаналізовано їх властивості. Четвертий розділ присвячений дослідженню транзисторів з ультра тонким midgap затвором на підкладкці кремній на ізоляторі, моделюванню та розгляду його електричних характеристик.uk
dc.format.page47 с.uk
dc.identifier.citationОсадчий, Є. А. КМДН-інвертор з довжинами каналів транзисторів субмікрометрового діапазону : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Осадчий Євгеній Андрійович. – Київ, 2021. – 47 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/42314
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectmidgap затворuk
dc.subjectКМДН-інверторuk
dc.subjectкремній на ізоляторіuk
dc.subjectзбіднений кремнійuk
dc.subjecthigh-k діелектрикuk
dc.titleКМДН-інвертор з довжинами каналів транзисторів субмікрометрового діапазонуuk
dc.typeBachelor Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Osadchyi_bakalavr.pdf
Розмір:
1.08 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.01 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Бакалаврські роботи (МЕ)
Бакалаврські роботи