Дослідження транспортних властивостей електронів в сполуках AlxGa1-xAs у слабкому електричному полі
Вантажиться...
Дата
2023
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Об’єкт дослідження - напівпровідниковий матеріал арсенід алюмінія-галія
AlGaAs.
Предмет дослідження - часи релаксації імпульсу та рухливість електронів у потрійній сполуці AlxGa1-xAs.
Мета роботи - дослідження температурної залежності дрейфової рухливості електронів у AlxGa1-xAs.
Відповідно до обраної мети в першому розділі було наведено опис загальних властивостей і характеристик матеріалу. А саме, структура кристалічної ґратки, опис дисперсійних характеристик, технології виробництва та застосування.
У другому розділі було обрано апроксимації для розрахунку вихідних параметрів AlxGa1-xAs при x = 0.26. Описано та розраховано фононні та домішкові види розсіювання. Змодельовано та проаналізовано механізм повного розсіювання для дрейфової та холлівської рухливостей.
В третьому розділі було отримано графіки залежностей дрейфової та холлівської рухливостей. Проведено аналіз та порівняно із експериментом.
Опис
Ключові слова
арсенід алюміня-галія, рухливість електронів
Бібліографічний опис
Шпиченко, В. С. Дослідження транспортних властивостей електронів в сполуках AlxGa1-xAs у слабкому електричному полі : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Шпиченко Владислав Сергійович. – Київ, 2023. – 48 с.