Дослідження транспортних властивостей електронів в сполуках AlxGa1-xAs у слабкому електричному полі

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorСаурова, Тетяна Асадівна
dc.contributor.authorШпиченко, Владислав Сергійович
dc.date.accessioned2023-08-29T11:06:31Z
dc.date.available2023-08-29T11:06:31Z
dc.date.issued2023
dc.description.abstractОб’єкт дослідження - напівпровідниковий матеріал арсенід алюмінія-галія AlGaAs. Предмет дослідження - часи релаксації імпульсу та рухливість електронів у потрійній сполуці AlxGa1-xAs. Мета роботи - дослідження температурної залежності дрейфової рухливості електронів у AlxGa1-xAs. Відповідно до обраної мети в першому розділі було наведено опис загальних властивостей і характеристик матеріалу. А саме, структура кристалічної ґратки, опис дисперсійних характеристик, технології виробництва та застосування. У другому розділі було обрано апроксимації для розрахунку вихідних параметрів AlxGa1-xAs при x = 0.26. Описано та розраховано фононні та домішкові види розсіювання. Змодельовано та проаналізовано механізм повного розсіювання для дрейфової та холлівської рухливостей. В третьому розділі було отримано графіки залежностей дрейфової та холлівської рухливостей. Проведено аналіз та порівняно із експериментом.uk
dc.description.abstractotherResearch object is semiconductor material AlGaAs. Research subject is pulse relaxation times and electron mobility in AlGaAs ternary compound. The aim of the study is calculation, investigation, and analysis of the dependence of drift mobility of electrons on temperature in AlGaAs. According to the chosen aim, the first chapter provides a description of the general properties and characteristics of the material. Specifically, the crystal lattice structure, dispersion characteristics, production technologies, and applications. In the second chapter, approximations for calculating the initial parameters of AlxGa1-xAs at x = 0.26 were chosen. Phonon and impurity scattering types were described and calculated. The mechanism of total scattering for drift and Hall mobilities was modeled and analyzed. The third chapter presents graphs of the dependence of drift and Hall mobilities. An analysis is conducted and compared with experimental results.uk
dc.format.extent48 с.uk
dc.identifier.citationШпиченко, В. С. Дослідження транспортних властивостей електронів в сполуках AlxGa1-xAs у слабкому електричному полі : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Шпиченко Владислав Сергійович. – Київ, 2023. – 48 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/59615
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectарсенід алюміня-галіяuk
dc.subjectрухливість електронівuk
dc.titleДослідження транспортних властивостей електронів в сполуках AlxGa1-xAs у слабкому електричному поліuk
dc.typeBachelor Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Shpychenko_bakalavr.pdf
Розмір:
2.24 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.1 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Бакалаврські роботи (ЕІ)
Бакалаврські роботи