Відносна чутливість дефектоскопічного контролю напівпровідникових матеріалів

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСлободян, Ніна Вячеславівна
dc.date.accessioned2023-10-31T11:32:37Z
dc.date.available2023-10-31T11:32:37Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractРозраховані залежності відношення сигнал/шум та перепаду щільності потоку рентгенівських квантів, спричинені дефектом структури однорідного зразка напівпровідникового матеріалу (кремнію), від параметрів рентгенівського апарату, товщини зразка та відносного розміру дефекту. Виявлено особливості поведінки згаданих залежностей при малих товщинах зразків та запропоновано рекомендації щодо покращення характеристик систем рентгенівської дефектоскопії стосовно матеріалів електронної техніки.uk
dc.description.abstractotherSignal to noise ratio and jump of density of the whole flow of x-ray quanta due to structure defect in the homogenous silicon sample are calculated in dependence on x-ray apparatus parameters, sample thickness and relative defect size. The peculiarities of such dependences for small thickness of the samples are clarified and recommendations for optimization of characteristics of x-ray system for non-destructive testing in application to electronic technique materials are given.uk
dc.format.pagerangeС. 96-99uk
dc.identifier.citationСлободян, Н. В. Відносна чутливість дефектоскопічного контролю напівпровідникових матеріалів / Н. В. Слободян // Электроника и связь. – 2004. – №22. – С. 96-99uk
dc.identifier.orcid0000-0002-1515-1050uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/61920
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.relation.ispartofЭлектроника и связь, 2004, №22uk
dc.subjectX-ray television systemuk
dc.subjectnon-destructive testinguk
dc.subjectsimulationuk
dc.subjectX-ray vidiconuk
dc.subjectCCD-matrixuk
dc.subjectsemiconductor materialsuk
dc.subjectрентгенотелевізійна системаuk
dc.subjectнеруйнівний контрольuk
dc.subjectмоделюванняuk
dc.subjectрентгеновідиконuk
dc.subjectПЗЗ-матрицяuk
dc.subjectнапівпровідникові матеріалиuk
dc.subject.udc623.397.13uk
dc.titleВідносна чутливість дефектоскопічного контролю напівпровідникових матеріалівuk
dc.title.alternativeRelative sensitivity of defectoscopic control of semiconductor materialsuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
P.96-99.pdf
Розмір:
5.13 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
.
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Электроника и связь: научно-технический журнал, № 22