Моделювання процесів росту тонких плівок кремнію з дихлорсилану методом хімічного осадження з газової фази (ХОГФ) за низького тиску
Вантажиться...
Дата
2024
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Метою роботи є проведення огляду хімічного осадження з газової фази
кремнію за Куном, пошуку можливих удосконалень даної моделі та
імплементування результатів у Ansys Student, зокрема термодифузії.
Використання більш точних методів росту плівок кремнію необхідно для
поліпшення характеристик транзисторів, що вимагають високої точності в
розмірах та однорідності матеріалу. Також, дозволятиме робити більш ефективні
сонячні панелі, і зокрема сприятиме розвитку новітніх технологій, таких як
квантові комп'ютери та фотоніка, де кремнієві плівки відіграють ключову роль у
створенні ефективних квантових бітів та інтегрованих фотонних вузлів.
Результати дослідження в Ansys Fluent показали, що термодифузія має
значний вплив на швидкість росту плівки, а отже її врахування є важливим при
моделюванні процесу росту плівок кремнію.
Опис
Ключові слова
Бібліографічний опис
Кондрахін, М. В. Моделювання процесів росту тонких плівок кремнію з дихлорсилану методом хімічного осадження з газової фази (ХОГФ) за низького тиску : дипломна робота ... бакалавра : 105 Прикладна фізика та наноматеріали / Кондрахін Михайло Вячеславович. – Київ, 2024. – 44 с.