Моделювання процесів росту тонких плівок кремнію з дихлорсилану методом хімічного осадження з газової фази (ХОГФ) за низького тиску

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorГільчук, Андрій Володимирович
dc.contributor.authorКондрахін, Михайло Вячеславович
dc.date.accessioned2024-10-24T09:40:34Z
dc.date.available2024-10-24T09:40:34Z
dc.date.issued2024
dc.description.abstractМетою роботи є проведення огляду хімічного осадження з газової фази кремнію за Куном, пошуку можливих удосконалень даної моделі та імплементування результатів у Ansys Student, зокрема термодифузії. Використання більш точних методів росту плівок кремнію необхідно для поліпшення характеристик транзисторів, що вимагають високої точності в розмірах та однорідності матеріалу. Також, дозволятиме робити більш ефективні сонячні панелі, і зокрема сприятиме розвитку новітніх технологій, таких як квантові комп'ютери та фотоніка, де кремнієві плівки відіграють ключову роль у створенні ефективних квантових бітів та інтегрованих фотонних вузлів. Результати дослідження в Ansys Fluent показали, що термодифузія має значний вплив на швидкість росту плівки, а отже її врахування є важливим при моделюванні процесу росту плівок кремнію.
dc.description.abstractotherThe purpose of this work is to conduct a review of Coon’s chemical vapor deposition of silicon, search for possible improvements of this model and implement the results in Ansys Student. The use of more precise methods of growing silicon films is necessary to improve the characteristics of transistors, which require high precision in dimensions and homogeneity of the material. It will also allow for more efficient solar panels, and in particular will contribute to the development of new technologies such as quantum computers and photonics, where silicon films play a key role in creating efficient quantum bits and integrated photonic nodes. The results of the study in Ansys Fluent showed that thermal diffusion has a significant effect on the growth rate of the film, and therefore its consideration is important when modeling the growth process of silicon films.
dc.format.extent44 c.
dc.identifier.citationКондрахін, М. В. Моделювання процесів росту тонких плівок кремнію з дихлорсилану методом хімічного осадження з газової фази (ХОГФ) за низького тиску : дипломна робота ... бакалавра : 105 Прикладна фізика та наноматеріали / Кондрахін Михайло Вячеславович. – Київ, 2024. – 44 с.
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/70104
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорського
dc.publisher.placeКиїв
dc.titleМоделювання процесів росту тонких плівок кремнію з дихлорсилану методом хімічного осадження з газової фази (ХОГФ) за низького тиску
dc.typeBachelor Thesis

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
KondrahinMV_bakalavr.pdf
Розмір:
1.02 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Бакалаврські роботи (ПФ)
Бакалаврські роботи