Лавинний процес в МДН-структурі

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorВоронько, Андрій Олександрович
dc.contributor.authorГеращенко, Ярослав Романович
dc.date.accessioned2023-09-08T17:06:15Z
dc.date.available2023-09-08T17:06:15Z
dc.date.issued2023
dc.description.abstractРоботу викладено на 54 сторінках, вона містить 4 розділи, 19 ілюстрацій, і 16 джерел в переліку посилань. Об’єктом дослідження є МДН структура в лавинному режимі розмноження. Предмет роботи – оптоелектронні процеси у МДН-структурах Мета роботи – експериментальне та теоретичне дослідження реєстрації світлових імпульсів на основі лавинного процесу в МДН структурі. В першому розділі розглянуто способи підсилення фотосигналу. В лавинному фотодіоді (ЛФД) підсилення за струмом виникає через лавиноподібне розмноження носіїв при ударній іонізації в області сильного поля р-n-переходу. Також розглянуто реалізацію лавинного розмноження в МДН-структурах. В другому розділі описано технологію формування лавинних МДН-фотоприймачів. В цьому розділі описано процеси очищення підкладок, термічного окиснення кремнію і вибір металів для формування контактів. В третьому розділі проводиться аналіз методик дослідження МДН-структур в режимі лавинного розмноження. Основним недоліком розглянутих методик є неможливість дослідити вплив стаціонарної складової світлового променя на реєстровану фотовідповідь. Тому з проведеного аналізу було побудовано схему що застосовує генератор трапецеїдального сигналу і дає змогу отримати різні співвідношення між стаціонарною та імпульсною складовою світлового пучка, падаючого на структуру. В четвертому розділі описано експериментальне дослідження лавинних МДН фотодіодів в режимі напруження, що лінійно наростає. За результатами досліджень МДН-структур в режимі стійкого лавинного процесу випливає, що вони можуть бути використані як фотоприймачі з внутрішнім підсиленням фотовідповіді, але для її отримання потрібна схема віднімання постійної складової.uk
dc.description.abstractotherThe work is presented on 54 pages, contains 4 chapters, 19 illustrations, and 16 sources in the list of references. The object of study is the metal-dielectric-semiconductor (MDS) structure in the avalanche multiplication mode. The subject of the work is optoelectronic processes in MDS structures. The purpose of the work is an experimental and theoretical study of the registration of light pulses based on the avalanche process in a MDS structure. In the first chapter, methods of photo signal amplification are considered. In an avalanche photodiode (AFD), current amplification occurs due to the avalanche-like multiplication of carriers during impact ionization in the strong field region of the p-n junction. The implementation of avalanche multiplication in MDS-structures is also considered. The second section describes the technology of forming avalanche MDS photoreceivers. This section describes the processes of substrate cleaning, thermal oxidation of silicon, and the selection of metals for the formation of contacts. The third section analyzes the methods of studying MDS structures in the avalanche multiplication mode. The main disadvantage of the considered methods is the inability to study the effect of the stationary component of the light beam on the recorded photoreflection. Therefore, based on the analysis, a scheme was constructed that uses a trapezoidal signal generator and allows obtaining different ratios between the stationary and impulsive components of the light beam incident on the structure. Chapter four describes an experimental study of avalanche MDS structure in the linearly increasing stress regime. The results of the study of MDS structures in the steady-state avalanche mode show that they can be used as photodetectors with internal amplification of the photoreflection, but to obtain it, a scheme for subtracting the constant component is required.uk
dc.format.extent54 с.uk
dc.identifier.citationГеращенко, Я. Р. Лавинний процес в МДН-структурі : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Геращенко Ярослав Романович. – Київ, 2023. – 54 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/60091
dc.language.isoukuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectлавинне розмноженняuk
dc.subjectструктура метал-діелектрик-напівпровідникuk
dc.subjectлавинні фотодіодиuk
dc.subjectфотореєстраціяuk
dc.subjectпідсилення сигналуuk
dc.subjectоптоелектронні процесиuk
dc.subjectavalanche multiplicationuk
dc.subjectmetal-dielectric-semiconductor structureuk
dc.subjectavalanche photodiodesuk
dc.subjectphotoregistrationuk
dc.subjectsignal amplificationuk
dc.subjectoptoelectronic processesuk
dc.titleЛавинний процес в МДН-структуріuk
dc.typeBachelor Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Herashchenko_bakalavr.pdf
Розмір:
1.24 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.1 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Бакалаврські роботи (МЕ)
Бакалаврські роботи