Симетричний тунельний діод

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorБорисов, Олександр Васильович
dc.contributor.authorЯсногородський, Максим Андрійович
dc.date.accessioned2020-01-10T13:10:59Z
dc.date.available2020-01-10T13:10:59Z
dc.date.issued2019-12
dc.description.abstractenStructure of work: The Master's Diploma is completed on 110 pages, containing 6 sections, 79 illustrations, 22 tables and 30 sources in the list of links. Purpose of work: Simulation of work and course of graphs of current-voltage characteristic of a symmetric tunnel diode. Recommendations for using the results of these studies: The tunnel diode is a very promising device for detecting very low voltages (about 1 mV), multiplying and converting high frequencies, etc. Recently, devices such as transistors with tunnel emitters have emerged, allowing you to create more advanced pulse circuits. Research into the study of tunneling effect physics in semiconductors and the creation of devices using this effect are far from complete. Therefore, many new discoveries and inventions are to be expected in the near future in the field. In this Master's Dissertation a description of the voltage-current characteristic of such a structure was made, as well as the voltage-current characteristic of a symmetric tunnel diode at different concentrations of impurities.uk
dc.description.abstractukСтруктура і обсяг роботи: магістерську дисертацію виконано на 110 сторінках, що містять 6 розділів, 79 ілюстрації, 22 таблиці та 30 джерел в переліку посилань. Мета роботи: Моделювання роботи та ходу графіків вольт-амперної характеристики симетричного тунельного діоду. Рекомендації щодо використання результатів даних досліджень: Тунельний діод виявляється вельми перспективним приладом при детектуванні дуже малих напруг (близько 1 мВ), множенні і перетворенні високих частот і ін. Останнім часом з'явилися такі прилади, як транзистори з тунельним емітером, що дозволяють створювати більш досконалі імпульсні схеми. Дослідження в галузі вивчення фізики тунельного ефекту в напівпровідниках і створення приладів, які використовують цей ефект, знаходяться ще далеко не в завершеній фазі. Тому в найближчому майбутньому в цій галузі слід очікувати ще багато нових відкриттів і винаходів. В даній магістерській дисертації проведений опис вольт-амперної характеристики такої структури, а також побудовано вольт-амперну характеристику симетричного тунельного діода при різній концентрації домішок.uk
dc.format.page112 с.uk
dc.identifier.citationЯсногородський, М. А. Симетричний тунельний діод : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Ясногородський Максим Андрійович. – Київ, 2019. – 112 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/30700
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectSiuk
dc.subjectGeuk
dc.subjectGaAsuk
dc.subjectтунельний пробійuk
dc.subjectлавинний пробійuk
dc.subjectсиметрична структураuk
dc.subjectдомішкиuk
dc.subjectдіодuk
dc.subjectконцентраціяuk
dc.subjectтемператураuk
dc.subjectвольт-амперна характеристикаuk
dc.titleСиметричний тунельний діодuk
dc.typeMaster Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Yasnohorodskyi_magistr.pdf
Розмір:
1.96 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.86 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Магістерські роботи (МЕ)
Магістерські роботи