Кремнієві структури метал-діелектрик-напівпровідник стекового типу
dc.contributor.advisor | Королевич, Любомир Миколайович | |
dc.contributor.author | Морозов, Дмитро Вадимович | |
dc.date.accessioned | 2020-07-20T13:14:57Z | |
dc.date.available | 2020-07-20T13:14:57Z | |
dc.date.issued | 2020 | |
dc.description.abstracten | Thesis is devoted to metal-dielectric-semiconductor stack-type structures. The aim of this work is to describe the problem of replacing SiO2 in MDN structures with other dielectrics and to describe the stack structure with a dielectric with high dielectric constant (high-k). The paper provides information on the use of dielectrics that have replaced SiO2 due to a number of advantages that have also been described. Total volume of work: 56 pages, 16 illustrations, 10 links, 0 appendices. | uk |
dc.description.abstractuk | Дипломна робота присвячена метал-діелектрик-напівпровідник структурам стекового типу. Метою роботи є описання проблеми заміни SiO2 в МДН-структурах на інші діелектрики та описання стекової структури з діелектриком з високою діелектричною проникністю (high-k). У роботі приводиться інформація про використання діелектриків, які замінили SiO2 через ряд переваг, які також були описані. Загальний обсяг роботи: 56 сторінок, 16 ілюстрацій, 10 посилань, 0 додатків. | uk |
dc.format.page | 55 с. | uk |
dc.identifier.citation | Морозов, Д. В. Кремнієві структури метал-діелектрик-напівпровідник стекового типу : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Морозов Дмитро Вадимович. – Київ, 2020. – 55 с. | uk |
dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/35120 | |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher | КПІ ім. Ігоря Сікорського | uk |
dc.publisher.place | Київ | uk |
dc.subject | МДН | uk |
dc.subject | МДНТ | uk |
dc.subject | МОН | uk |
dc.subject | структурa | uk |
dc.subject | MOSFET | uk |
dc.subject | CMOSFET | uk |
dc.subject | MDS | uk |
dc.subject | MDST | uk |
dc.subject | MOS | uk |
dc.subject | structure | uk |
dc.subject | MOSFET | uk |
dc.subject | CMOSFET | uk |
dc.title | Кремнієві структури метал-діелектрик-напівпровідник стекового типу | uk |
dc.type | Bachelor Thesis | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- Morozov_bakalavr.pdf
- Розмір:
- 960.96 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 9.06 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: