The main characteristics of SiGe HBTs at low temperatures

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorDvornikov, О. V.
dc.contributor.authorTchekhovski, V. А.
dc.contributor.authorDziatlau, V. L.
dc.contributor.authorProkopenko, N. N.
dc.contributor.authorДворніков, О. В.
dc.contributor.authorЧеховський, В. О.
dc.contributor.authorДятлов, В. Л.
dc.contributor.authorПрокопенко, М. М.
dc.contributor.authorДворников, О. В.
dc.contributor.authorЧеховский, В. А.
dc.contributor.authorДятлов, В. Л.
dc.contributor.authorПрокопенко, Н. Н.
dc.date.accessioned2018-04-19T08:17:47Z
dc.date.available2018-04-19T08:17:47Z
dc.date.issued2016
dc.description.abstractenThe current-voltage curves (CVC) of n-p-n SiGe heterojunction bipolar transistors (HBT) are considered within the temperature range from minus -195˚С up to 25˚С, produced on the SGB25V technology of IHP. The experimental setup, the measurement technique and the connection features of transistors for elimination of the self-excitation are described. The special attention is paid to the temperature dependences of the static base current gain βF in the common-emitter configuration (CEC) and to the output CVC characteristics of transistor in the CEC.uk
dc.description.abstractruРассмотрены вольтамперные характеристики (ВАХ) n-p-n SiGe биполярных транзисторов (БТ) в диапазоне температур от минус 195˚С до 25˚С, изготовленных по технологическому маршруту SGB25V фирмы IHP. Описана экспериментальная установка, методика измерений и особенности включения транзисторов для устранения эффекта самовозбуждения. Особое внимание уделено температурным зависимостям статического коэффициента усиления тока базы в схеме с общим эмиттером (ОЭ) βF и выходной ВАХ транзистора в схеме ОЭ.uk
dc.description.abstractukРозглянуті вольт-амперні характеристики (ВАХ) n-p-n SiGe біполярних транзисторів (БТ) в діапазоні температур від мінус 195˚С до 25˚С, що виготовлені по технологічному маршруту SGB25V фірми IHP. Описана експериментальна установка, методика вимірювань і особливості ввімкнення транзисторів для усунення ефекту самозбудження. Особливу увагу приділено температурним залежностям статичного коефіцієнту підсилення струму бази в схемі з спільним емітером βF і вихідної ВАХ транзистора в схемі з спільним емітером.uk
dc.format.pagerangePp. 87-96uk
dc.identifier.citationThe main characteristics of SiGe HBTs at low temperatures / О. V. Dvornikov, V. А. Tchekhovski, V. L. Dziatlau, N. N. Prokopenko // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2016. – Вип. 66. – С. 87–96. – Бібліогр.: 15 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/22802
dc.language.isoenuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceВісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць, Вип. 66uk
dc.status.pubpublisheden
dc.subjectSiGe bipolar transistorsuk
dc.subjectlow temperaturesuk
dc.subjecttemperature of liquid nitrogenuk
dc.subjectSiGe біполярні транзисториuk
dc.subjectнизькі температуриuk
dc.subjectтемпература рідкого азотуuk
dc.subjectSiGe биполярные транзисторыuk
dc.subjectнизкие температурыuk
dc.subjectтемпература жидкого азотаuk
dc.subject.udc621.382uk
dc.titleThe main characteristics of SiGe HBTs at low temperaturesen
dc.title.alternativeОсновні характеристики SiGe біполярних гетеротранзисторів за низьких температурuk
dc.title.alternativeОсновные характеристики SiGe гетеропереходных биполярных транзисторов при низких температурахru
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
9_Dvornikov.pdf
Розмір:
1.22 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.74 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць, Вип. 66