Синтез кремнієвих наноструктур методом метало-стимульованого хімічного травлення для фотовольтаїки та сенсорики

dc.contributor.advisorКоваль, Вікторія Михайлівна
dc.contributor.authorСкиба, Іван Васильович
dc.date.accessioned2020-07-20T12:17:42Z
dc.date.available2020-07-20T12:17:42Z
dc.date.issued2020
dc.description.abstractenThe work presented on 70 pages consists of 3 parts, 28 figures, 10 tables and 55 sources in the list of references. The object of study are silicon nanowires and structures based on them. The subject of work – study of morphological, electrical and photosensitive characteristics of synthesized silicon nanostructures and diode light sensors based on them. The purpose of the work is development of technology for the synthesis of silicon nanostructures on the surface of a silicon substrate by the method of metal-assisted chemical etching (MACE) for its using in diode light sensors. The first section provides as overview of the literature, which considers the technological principles and implementation of the method of MASE, the influence of technological parameters of the method of MASE on the structural features of the obtained silicon nanostructures. In the second chapter of work, there is application of the method of MACE in electronics, the influence of technological parameters of the method on the sensitivity of semiconductor sensors and on the photoelectric characteristics of solar cells. In the third section, results of synthesis, study of surface morphology, electrical and photosensitive characteristics of diode light sensors obtained on the basis of silicon nanostructures, depending on the technological parameters of the method of MASE.uk
dc.description.abstractukРоботу викладено на 70 сторінках, вона містить 3 розділи, 28 ілюстрацій, 10 таблиць і 55 джерел в переліку посилань. Об’єктом дослідження є кремнієві нанонитки та структури на їх основі. Предмет роботи – дослідження морфологічних, електричних та фоточутливих характеристик синтезованих кремнієвих наноструктур та діодних сенсорах освітленості на їх основі. Мета роботи – розробка технології синтезу кремнієвих наноструктур на поверхні кремнієвої підкладки методом метало-стимульованого хімічного травлення (МСХТ) для застосування їх в діодних сенсорах освітленості. В першому розділі подано огляд літератури, в якому розглядається технологічні засади та реалізація методу МСХТ, вплив технологічних параметрів методу МСХТ на структурні особливості отримуваних кремнієвих наноструктур. В другому розділі роботи розглядається застосування методу МСХТ в електроніці, вплив технологічних параметрів методу на чутливість напіпровідникових сенсорів та на фотоелектричні характеристики сонячних елементів. В третьом розділі наводяться результати синтезу, дослідження поверхневої морфології, електричних та фоточутливих характеристик діодних сенсорів освітленості, отриманих на основі кремнієвих наноструктур, в залежності від технологічних параметрів методу МСХТ.uk
dc.format.page70 с.uk
dc.identifier.citationСкиба, І. В. Синтез кремнієвих наноструктур методом метало-стимульованого хімічного травлення для фотовольтаїки та сенсорики : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Скиба Іван Васильович. – Київ, 2020. – 70 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/35112
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectкремнійuk
dc.subjectметало-стимульоване хімічне травленняuk
dc.subjectнанониткиuk
dc.subjectдіодний сенсор освітленостіuk
dc.subjectsilicon nanowiresuk
dc.subjectmetal-assisted chemical etchinguk
dc.subjectdiode light sensoruk
dc.titleСинтез кремнієвих наноструктур методом метало-стимульованого хімічного травлення для фотовольтаїки та сенсорикиuk
dc.typeBachelor Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
Skyba_bakalavr.pdf
Розмір:
2.79 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.06 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: